Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
An experimental study was carried out to investigate the possibility of obtaining layers with hole conductivity in CdS and GaAs single crystals using radiation doping. A monoenergetic flux of fast neutrons with an energy of 14.5 MeV was applied. Measurements confirmed the formation of such layers....
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123633717248 |
|---|---|
| author | Mokritsky, V. A. Garkavenko, A. S. Zubarev, V. V. Lenkov, S. V. |
| author_facet | Mokritsky, V. A. Garkavenko, A. S. Zubarev, V. V. Lenkov, S. V. |
| author_sort | Mokritsky, V. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description |
An experimental study was carried out to investigate the possibility of obtaining layers with hole conductivity in CdS and GaAs single crystals using radiation doping. A monoenergetic flux of fast neutrons with an energy of 14.5 MeV was applied. Measurements confirmed the formation of such layers. Nuclear reactions occurring in the crystals under neutron irradiation, which lead to acceptor doping, are described. Based on the p–n junction created in CdS by this method.
|
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1205 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12052026-05-19T20:36:22Z Radiation doping of cadmium sulfide and gallium arsenide Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия Mokritsky, V. A. Garkavenko, A. S. Zubarev, V. V. Lenkov, S. V. radiation doping CdS GaAs fast neutrons nuclear reactions радиационное легирование CdS GaAs быстрые нейтроны ядерные реакции An experimental study was carried out to investigate the possibility of obtaining layers with hole conductivity in CdS and GaAs single crystals using radiation doping. A monoenergetic flux of fast neutrons with an energy of 14.5 MeV was applied. Measurements confirmed the formation of such layers. Nuclear reactions occurring in the crystals under neutron irradiation, which lead to acceptor doping, are described. Based on the p–n junction created in CdS by this method. Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 14-17 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 14-17 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14/1104 Copyright (c) 2003 Mokritsky V. A., Garkavenko A. S., Zubarev V. V., Lenkov S. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | радиационное легирование CdS GaAs быстрые нейтроны ядерные реакции Mokritsky, V. A. Garkavenko, A. S. Zubarev, V. V. Lenkov, S. V. Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_alt | Radiation doping of cadmium sulfide and gallium arsenide |
| title_full | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_fullStr | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_full_unstemmed | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_short | Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| title_sort | радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия |
| topic | радиационное легирование CdS GaAs быстрые нейтроны ядерные реакции |
| topic_facet | radiation doping CdS GaAs fast neutrons nuclear reactions радиационное легирование CdS GaAs быстрые нейтроны ядерные реакции |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14 |
| work_keys_str_mv | AT mokritskyva radiationdopingofcadmiumsulfideandgalliumarsenide AT garkavenkoas radiationdopingofcadmiumsulfideandgalliumarsenide AT zubarevvv radiationdopingofcadmiumsulfideandgalliumarsenide AT lenkovsv radiationdopingofcadmiumsulfideandgalliumarsenide AT mokritskyva radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT garkavenkoas radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT zubarevvv radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ AT lenkovsv radiacionnoelegirovaniesulʹfidakadmiâiarsenidagalliâ |