Cover Image

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

An experimental study was carried out to investigate the possibility of obtaining layers with hole conductivity in CdS and GaAs single crystals using radiation doping. A monoenergetic flux of fast neutrons with an energy of 14.5 MeV was applied. Measurements confirmed the formation of such layers....

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2003
Main Authors:	Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Subjects:	радиационное легирование CdS GaAs быстрые нейтроны ядерные реакции
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2012)

Исследование механизма дипольных переходов в (γ,р)– и (γ,n)– реакциях на ядре ⁴He
by: Гурьев, В.Н.
Published: (1999)

М1 резонанс в нечетных ядрах sd-оболочки
by: Качан, А.С.
Published: (1999)

Σ-асимметрия и сечения в (1⁻,0)–, (1⁻,1)– каналах фотоделения ядра ²³²Th
by: Хвастунов, В.М.
Published: (1999)

Измерение Θ-угловой зависимости Σ-асимметрии сечения фоторасщепления ядра ⁶Li линейно поляризованными фотонами при малых энергиях (проект эксперимента)
by: Аркатов, Ю.М., et al.
Published: (1999)

Исследование механизма электрических квадрупольных переходов в (γ,р)– и (γ,n)–реакциях на ядре ⁴He
by: Гурьев, В.Н.
Published: (1999)

l-запрещенные М1-переходы с ∆Т=1 в нечетных ядрах 1d2s-оболочки
by: Водин, А.Н.
Published: (1999)

Эффекты сохранения ядерного тока в (γ,р)-реакции на ядре ¹²С с ядром–остатком в состоянии 1⁺/2
by: Золенко, В.А., et al.
Published: (1999)

Электрический дипольный переход с изменением спина в конечном состоянии при реакциях ⁴Не(γ,р)T и ⁴Не(γ,n)³He
by: Волощук, И.В., et al.
Published: (1999)

Применение метода усредненных резонансов (МУР) в реакциях захвата протонов низких энергий
by: Немашкало, Б.А.
Published: (1999)

МТИ-эффект и нуклоны поверхностного слоя ядра
by: Буки, А.Ю.
Published: (1999)

Возбуждение дельта резонанса в инклюзивном е-d рассеянии при малых переданных импульсах
by: Купленников, Э.Л.
Published: (1999)

Асимметрия угловых распределений в реакциях типа А(γ,N)(A-1) на ядрах р-оболочки
by: Ходячих, А.Ф.
Published: (1999)

Измерение отношения сечений одиночного фотообразования π⁺ и π⁻ мезонов на гелии-3 линейно-поляризованными фотонами в области ∆ резонанса
by: Ганенко, В.Б., et al.
Published: (1999)

Определение отношения EMR≡E2/M1 в переходе γN↔∆(1232) из фоторождения одиночных пионов на протоне
by: Афанасьев, С.Н., et al.
Published: (1999)

Исследование Σ(90°)-асимметрии в расщеплении дейтрона линейнополяризованными фотонами
by: Ганенко, В.Б., et al.
Published: (1999)

Сечения образования и пробеги продуктов реакций, вызываемых ускоренными тяжелыми ионами
by: Скакун, Е. А., et al.
Published: (1999)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
by: Наумов, А.В.
Published: (2005)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
by: Кирилаш, А.И., et al.
Published: (2012)

Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
by: Моллаев, А.Ю., et al.
Published: (2004)

Структура и свойства электроосажденных пленок сульфида кадмия
by: Ли, Т.А., et al.
Published: (2007)

Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
by: Джабуа, З.У., et al.
Published: (2014)

Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
by: Гаджиалиев, М.М., et al.
Published: (2014)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2009)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)

Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении
by: Голованова, В.В., et al.
Published: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
by: Rotner, S. M., et al.
Published: (2006)

Formation and Prospects of Development of CD Manufacturing in Ukraine
by: Масол, И. В.
Published: (2012)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2008)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
by: Mokritskij, V. A., et al.
Published: (2008)

Електрофiзичнi та люмiнесцентнi властивостi систем сульфiд кадмiю–пористий кремнiй
by: Davidenko, N. A., et al.
Published: (2018)

Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури
by: Prokopenko, S. L., et al.
Published: (2017)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)