Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
The authors investigate deformation-induced changes in the electrophysical parameters of the indium antimonide microcrystals at cryogenic temperatures in strong magnetic fields up to 10 T. It is determined that for strongly doped InSb microcrystals, the gauge factor at liquid-helium temperature is G...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | Druzhinin, Anatoliy, Khoverko, Yuriy, Ostrovskii, Ihor, Liakh-Kaguy, Natalia, Pasynkova, Olena |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Чутливий елемент двофункціонального сенсора магнітного поля та деформації на основі мікрокристалів Si
за авторством: Druzhinin, A. O., та інші
Опубліковано: (2017) -
Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019) -
Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
за авторством: Druzhynin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2019) -
Деформаційно–мінералогічні зміни в пісковиках Донбасу
за авторством: Маметова, Л.Ф.
Опубліковано: (2012) -
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)