Зображення обкладинки

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs

The paper reports on the fabrication and investigation of tandem solar cells based on GaAs–InGaAs–AlGaAs with an active area of 0.93 cm². A tunnel junction is used to connect the upper (AlGaAs) and lower (InGaAs) cells of the tandem solar element. Under spectral conditions AM 1.5 (1 sun), the measur...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2003
Автори:	Krukovsky, S. I., Nikolaenko, Yu. E.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:	фотопреобразователи многослойные тандемные гетероструктуры низкотемпературная ЖФЭ коэффициент полезного действия легирование p–n-переход
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovskiy, S. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)

Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
за авторством: Зайцев, С.В.
Опубліковано: (2012)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (1999)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)

ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ СИСТЕМ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПОДВИЖНОГО СОСТАВА МЕТРОПОЛИТЕНА
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

УМЕНЬШЕНИЕ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ В СИСТЕМАХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПОДВИЖНОГО СОСТАВА МЕТРОПОЛИТЕНА ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ЭНЕРГОЕМКИХ НАКОПИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ
за авторством: Жемеров, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2014)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
за авторством: Горбунов, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
за авторством: S. V. Zajtsev
Опубліковано: (2012)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Modeling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well
за авторством: Souaf, M., та інші
Опубліковано: (2015)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)