Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
The paper reports on the fabrication and investigation of tandem solar cells based on GaAs–InGaAs–AlGaAs with an active area of 0.93 cm². A tunnel junction is used to connect the upper (AlGaAs) and lower (InGaAs) cells of the tandem solar element. Under spectral conditions AM 1.5 (1 sun), the measur...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |