Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs

The paper reports on the fabrication and investigation of tandem solar cells based on GaAs–InGaAs–AlGaAs with an active area of 0.93 cm². A tunnel junction is used to connect the upper (AlGaAs) and lower (InGaAs) cells of the tandem solar element. Under spectral conditions AM 1.5 (1 sun), the measur...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Krukovsky, S. I., Nikolaenko, Yu. E.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment