Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники

• Datum: 2003
• 1. Verfasser: Kasimov, F. D.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Schlagworte: отрицательное сопротивление; микроэлектронная негатроника; переключение; высокоомное и низкоомное состояния; гальваномагниторекомбинационный эффект; полупроводниковая индуктивность
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.05
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

It is shown that the simultaneous growth of local films of polycrystalline and monocrystalline silicon formed the basis for the development of microelectronic negatronics, a new branch of functional electronics. The integration of sensitive elements and negatron analogs within a single crystal makes...