Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом

• Дата: 2003
• Автори: Vikulin, I. M., Kurmashev, Sh. D., Sidorets, R. G., Tumanov, Yu. G.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Теми: инжекционные фотодиоды; полевой МДП-электрод; усиление фототока; p-n-переход; повышение чувствительности; полупроводниковые приборы
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.4.46
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The physical mechanism of internal photocurrent amplification in a p-n junction with a long base, on the lateral surface of which a field MOS electrode is created, is presented. The combined action of several amplification mechanisms increases the sensitivity of the injection photodiode.