Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
The physical mechanism of internal photocurrent amplification in a p-n junction with a long base, on the lateral surface of which a field MOS electrode is created, is presented. The combined action of several amplification mechanisms increases the sensitivity of the injection photodiode.
Saved in:
| Date: | 2003 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.4.46 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1866210891410702336 |
|---|---|
| author | Vikulin, I. M. Kurmashev, Sh. D. Sidorets, R. G. Tumanov, Yu. G. |
| author_facet | Vikulin, I. M. Kurmashev, Sh. D. Sidorets, R. G. Tumanov, Yu. G. |
| author_sort | Vikulin, I. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-25T11:27:11Z |
| description | The physical mechanism of internal photocurrent amplification in a p-n junction with a long base, on the lateral surface of which a field MOS electrode is created, is presented. The combined action of several amplification mechanisms increases the sensitivity of the injection photodiode. |
| first_indexed | 2026-05-26T01:03:16Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1246 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-26T01:03:16Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12462026-05-25T11:27:11Z Current amplification in injection photodiodes with field electrode Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом Vikulin, I. M. Kurmashev, Sh. D. Sidorets, R. G. Tumanov, Yu. G. injection photodiodes field mos electrode photocurrent amplification p-n junction sensitivity enhancement semiconductor devices инжекционные фотодиоды полевой МДП-электрод усиление фототока p-n-переход повышение чувствительности полупроводниковые приборы The physical mechanism of internal photocurrent amplification in a p-n junction with a long base, on the lateral surface of which a field MOS electrode is created, is presented. The combined action of several amplification mechanisms increases the sensitivity of the injection photodiode. Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-08-31 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.4.46 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-49 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-49 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.4.46/1145 Copyright (c) 2003 Vikulin I. M., Kurmashev Sh. D., Sidorets R. G., Yu. G. Tumanov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | инжекционные фотодиоды полевой МДП-электрод усиление фототока p-n-переход повышение чувствительности полупроводниковые приборы Vikulin, I. M. Kurmashev, Sh. D. Sidorets, R. G. Tumanov, Yu. G. Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_alt | Current amplification in injection photodiodes with field electrode |
| title_full | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_fullStr | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_full_unstemmed | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_short | Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| title_sort | усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом |
| topic | инжекционные фотодиоды полевой МДП-электрод усиление фототока p-n-переход повышение чувствительности полупроводниковые приборы |
| topic_facet | injection photodiodes field mos electrode photocurrent amplification p-n junction sensitivity enhancement semiconductor devices инжекционные фотодиоды полевой МДП-электрод усиление фототока p-n-переход повышение чувствительности полупроводниковые приборы |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.4.46 |
| work_keys_str_mv | AT vikulinim currentamplificationininjectionphotodiodeswithfieldelectrode AT kurmashevshd currentamplificationininjectionphotodiodeswithfieldelectrode AT sidoretsrg currentamplificationininjectionphotodiodeswithfieldelectrode AT tumanovyug currentamplificationininjectionphotodiodeswithfieldelectrode AT vikulinim usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT kurmashevshd usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT sidoretsrg usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom AT tumanovyug usilenietokavinžekcionnyhfotodiodahspolevymélektrodom |