Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
The physical mechanism of internal photocurrent amplification in a p-n junction with a long base, on the lateral surface of which a field MOS electrode is created, is presented. The combined action of several amplification mechanisms increases the sensitivity of the injection photodiode.
Saved in:
| Date: | 2003 |
|---|---|
| Main Authors: | Vikulin, I. M., Kurmashev, Sh. D., Sidorets, R. G., Tumanov, Yu. G. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.4.46 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003)
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003)
БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ВТОРИЧНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ЕМКОСТНЫХ ДАТЧИКОВ С ЗАЗЕМЛЕННЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ
by: Борщев, П.И., et al.
Published: (2019)
by: Борщев, П.И., et al.
Published: (2019)
Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
by: Сапаев, И.Б., et al.
Published: (2015)
by: Сапаев, И.Б., et al.
Published: (2015)
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
by: Maksimchuk, N. V., et al.
Published: (2010)
by: Maksimchuk, N. V., et al.
Published: (2010)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
by: Belyanin, A. F., et al.
Published: (2005)
by: Belyanin, A. F., et al.
Published: (2005)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2013)
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2013)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Yodgorova, D. М.
Published: (2006)
by: Yodgorova, D. М.
Published: (2006)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
Исследование и повышение стабильности работы операционных усилителей в схемах драйверов емкостных сенсоров
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2008)
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2008)
Газоаналитические средства системы контроля утечек хлора на основе электрохимических сенсоров
by: Devyatko, G. A., et al.
Published: (2004)
by: Devyatko, G. A., et al.
Published: (2004)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
by: Reva, V. P., et al.
Published: (2011)
by: Reva, V. P., et al.
Published: (2011)
К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
by: Luzin, S. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Luzin, S. Yu., et al.
Published: (2009)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)
Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
by: Knop, K. A., et al.
Published: (2015)
by: Knop, K. A., et al.
Published: (2015)
Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
by: Yakovlev, I. V.
Published: (2007)
by: Yakovlev, I. V.
Published: (2007)
ОСОБЕННОСТИ ЛОКАЛЬНЫХ УСИЛЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ ПРОВОДЯЩИМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ В НЕЛИНЕЙНОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ИЗОЛЯЦИИ
by: Щерба, М.А.
Published: (2015)
by: Щерба, М.А.
Published: (2015)
Трехпараметрический генераторный датчик
by: Filinyuk, M. A., et al.
Published: (2014)
by: Filinyuk, M. A., et al.
Published: (2014)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
Исследование инжекционных процессов при подаче топливных добавок в горн доменной печи
by: Чайка, А.Л., et al.
Published: (2012)
by: Чайка, А.Л., et al.
Published: (2012)
Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
by: Нинидзе, Г.К., et al.
Published: (2005)
by: Нинидзе, Г.К., et al.
Published: (2005)
Механизм возникновения шумовых максимумов в элементах с нелинейными вольт-амперными характеристиками
by: Головко, А.Г.
Published: (2004)
by: Головко, А.Г.
Published: (2004)
Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
by: Новосядлый, С.П.
Published: (2002)
by: Новосядлый, С.П.
Published: (2002)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
by: Рюхтин, В.В., et al.
Published: (2004)
by: Рюхтин, В.В., et al.
Published: (2004)
Кинетика десорбционной очистки поверхности кремниевых пластин в перекисно-аммиачных растворах
by: Полтавцев, Ю.Г., et al.
Published: (2003)
by: Полтавцев, Ю.Г., et al.
Published: (2003)
Однокристальная микро-ЭВМ с аналого-цифровым преобразователем
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2001)
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2001)
Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
by: Филинюк, Н.А., et al.
Published: (2005)
by: Филинюк, Н.А., et al.
Published: (2005)
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2001)
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2001)
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2003)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2003)
Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2002)
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2002)
Однокристальная микро-ЭВМ для систем с высокоразвитыми локальными сетями
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2002)
by: Вербицкий, В.Г., et al.
Published: (2002)
Энергонезависимая память на элементах FLOTOX для БИС электронных карт
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2002)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2002)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2004)
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2004)
Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов
by: Кравченко, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Кравченко, А.В., et al.
Published: (2005)
БИС электронных пластиковых карт с предварительной оплатой
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2001)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2001)
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2002)
by: Иванов, В.Н., et al.
Published: (2002)
Оптимизация уровня безотказности в сложных устройствах микроэлектроники
by: Креденцер, Б.П., et al.
Published: (2002)
by: Креденцер, Б.П., et al.
Published: (2002)
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
by: Павлюк, С.П., et al.
Published: (2004)
by: Павлюк, С.П., et al.
Published: (2004)
Схемное решение построения каскадного регистра сдвига
by: Куценко, Г.В.
Published: (2004)
by: Куценко, Г.В.
Published: (2004)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)
by: Яцуненко, А.Г., et al.
Published: (2005)
Similar Items
-
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003) -
БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ВТОРИЧНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ЕМКОСТНЫХ ДАТЧИКОВ С ЗАЗЕМЛЕННЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ
by: Борщев, П.И., et al.
Published: (2019) -
Механизм усиления фототока в инжекционных фотодиодах на основе фоточувствительной поликристаллической пленки CdS
by: Сапаев, И.Б., et al.
Published: (2015) -
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
by: Maksimchuk, N. V., et al.
Published: (2010) -
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)