Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков

Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low a...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори та афіліації:
  • Yu. M. Shvarts — V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine
  • M. M. Shvarts — V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine
  • A. N. Ivashchenko — Saturn-Micro Subsidiary, Kyiv, Ukraine
  • V. I. Bosyi — SPE «Saturn», Kyiv, Ukraine
  • A. G. Maksimenko — Kvazar-IS Subsidiary, Kyiv, Ukraine
  • S. V. Sapon — Kvazar-IS Subsidiary, Kyiv, Ukraine
Ключові слова:keywords
Автори: Shvarts, Yu. M., Shvarts, M. M., Ivashchenko, A. N., Bosyi, V. I., Maksimenko, A. G., Sapon, S. V.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси