Buchumschlag

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

A method for analytical calculation of relaxation times of concentration, momentum, and energy for GaAs in strong electric fields is proposed. The approach enables modeling of dynamic processes using the corresponding balance equations.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:	релаксационные параметры GaAs сильные электрические поля время релаксации
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.61
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
von: Москалюк, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Bonchyk, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
von: Kolodiy, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
von: Ivashchuk, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Koval’chuk, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

КМОП ИС задающего генератора с кварцевой стабилизацией частоты
von: Zolotarevsky, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
von: Борщев, П.И.
Veröffentlicht: (2015)

ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
von: Борщев, П.И.
Veröffentlicht: (2015)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Диэлектрические ван-флековские парамагнетики в сильных магнитных полях
von: Тагиров, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Моделирование низкочастотных соединителей для применения в высокочастотных цепях
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
von: A. V. Gorbunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Кинетические явления в органических проводниках в сильных магнитных полях
von: Песчанский, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2016)

О намагниченности низкоразмерного электронного газа в сильных магнитных полях
von: Гохфельд, В.М.
Veröffentlicht: (2004)

Средние силы, действующие на вещество в сильных лазерных полях
von: Андреев, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование сверхпроводящей микроволновой линии передачи в сильных электромагнитных полях
von: Лавринович, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Bosyi, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Феноменологическая теория релаксации в двухподрешеточном феррите
von: Bar’yakhtar, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особенности магнитоэлектрических свойств BiFeO₃ в сильных магнитных полях
von: Попов, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2018)

К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
von: Подольцев, А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
von: Verbitsky, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование радиационных процессов высокой энергии в сильных плазменных полях, генерируемых лазерным импульсом
von: Костюков, И.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)