Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
A method for analytical calculation of relaxation times of concentration, momentum, and energy for GaAs in strong electric fields is proposed. The approach enables modeling of dynamic processes using the corresponding balance equations.
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.61 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
за авторством: Москалюк, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Москалюк, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Bonchyk, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bonchyk, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2005)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
за авторством: Kolodiy, Z. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kolodiy, Z. A., та інші
Опубліковано: (2009)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Ivashchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ivashchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2003)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
за авторством: Gentsar, P. O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Gentsar, P. O., та інші
Опубліковано: (2018)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
КМОП ИС задающего генератора с кварцевой стабилизацией частоты
за авторством: Zolotarevsky, V. I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zolotarevsky, V. I., та інші
Опубліковано: (2003)
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
за авторством: Борщев, П.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Борщев, П.И.
Опубліковано: (2015)
ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
за авторством: Борщев, П.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Борщев, П.И.
Опубліковано: (2015)
Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)
Диэлектрические ван-флековские парамагнетики в сильных магнитных полях
за авторством: Тагиров, М.С., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Тагиров, М.С., та інші
Опубліковано: (2002)
Моделирование низкочастотных соединителей для применения в высокочастотных цепях
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Кинетические явления в органических проводниках в сильных магнитных полях
за авторством: Песчанский, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Песчанский, В.Г., та інші
Опубліковано: (2016)
О намагниченности низкоразмерного электронного газа в сильных магнитных полях
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гохфельд, В.М.
Опубліковано: (2004)
Средние силы, действующие на вещество в сильных лазерных полях
за авторством: Андреев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Андреев, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование сверхпроводящей микроволновой линии передачи в сильных электромагнитных полях
за авторством: Лавринович, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лавринович, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Bosyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Bosyi, V. I., та інші
Опубліковано: (2003)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Феноменологическая теория релаксации в двухподрешеточном феррите
за авторством: Bar’yakhtar, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bar’yakhtar, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Особенности магнитоэлектрических свойств BiFeO₃ в сильных магнитных полях
за авторством: Попов, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попов, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
за авторством: Verbitsky, V. G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Verbitsky, V. G., та інші
Опубліковано: (2004)
Моделирование радиационных процессов высокой энергии в сильных плазменных полях, генерируемых лазерным импульсом
за авторством: Костюков, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Костюков, И.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)