Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

• Дата: 2003
• Автори та афіліації: L. L. Terletskaya — I. I. Mechnikov Odesa National University, Ukraine; L. F. Kalinichenko — I. I. Mechnikov Odesa National University, Ukraine; V. V. Golubtsov — Odessa National Maritime Academy, Odesа, Ukraine
• Ключові слова: keywords
• Автори: Terletskaya, L. L., Kalinichenko, L. F., Golubtsov, V. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Теми: гетеропереход; кремний; арсенид галлия; фотолюминесценция; интегральный оптрон; жидкофазная эпитаксия
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.51
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A comparative analysis of the photoluminescence spectra of heteroepitaxial n‑GaAs layers and the spectral characteristics of p+‑Si—n‑Si—p‑Si—n+‑GaAs structures is presented. The GaAs layers were grown on Si substrates by liquid‑phase epitaxy from a solution‑melt. A complete coincidence of the maxima...