Buchumschlag

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

A comparative analysis of the photoluminescence spectra of heteroepitaxial n‑GaAs layers and the spectral characteristics of p+‑Si—n‑Si—p‑Si—n+‑GaAs structures is presented. The GaAs layers were grown on Si substrates by liquid‑phase epitaxy from a solution‑melt. A complete coincidence of the maxima...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Terletskaya, L. L., Kalinichenko, L. F., Golubtsov, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:	гетеропереход кремний арсенид галлия фотолюминесценция интегральный оптрон жидкофазная эпитаксия
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.51
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Терлецкая, Л.Л., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Shvets, O. H., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
von: Belousov, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
von: Kovaliuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
von: Berishvili, Z. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

У истоков сверхмалошумящей техники СВЧ
von: Chmil, V. M.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
von: Kulinich, О. А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Balitskii, О. A.
Veröffentlicht: (2005)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)