Buchumschlag

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

A comparative analysis of the photoluminescence spectra of heteroepitaxial n‑GaAs layers and the spectral characteristics of p+‑Si—n‑Si—p‑Si—n+‑GaAs structures is presented. The GaAs layers were grown on Si substrates by liquid‑phase epitaxy from a solution‑melt. A complete coincidence of the maxima...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2003
Hauptverfasser: Terletskaya, L. L., Kalinichenko, L. F., Golubtsov, V. V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:
гетеропереход
кремний
арсенид галлия
фотолюминесценция
интегральный оптрон
жидкофазная эпитаксия
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.51
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Institution

Technology and design in electronic equipment

Online

https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.51

Ähnliche Einträge