Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2002
• Випуск: 6
• Сторінки: 7-9
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: V. A. Zavadsky — Odessa National Maritime Academy, Odesа, Ukraine; S. V. Lenkov — National Aviation University, Kyiv, Ukraine; D. V. Lukomsky — National Aviation University, Kyiv, Ukraine; V. A. Mokritsky — Odessa National Maritime Academy, Odesа, Ukraine
• Автори: Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Теми: GaAs; эпитаксиальные слои; облучение быстрыми нейтронами; подвижность носителей заряда
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.07
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper demonstrates the possibility of controlling the parameters of gallium arsenide epitaxial layers using radiation treatment with fast neutrons. From a technological perspective, neutron irradiation is proposed to be divided into two types depending on the radiation dose. The first one (radia...