Зображення обкладинки

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия

The paper demonstrates the possibility of controlling the parameters of gallium arsenide epitaxial layers using radiation treatment with fast neutrons. From a technological perspective, neutron irradiation is proposed to be divided into two types depending on the radiation dose. The first one (radia...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2002
Випуск:6
Сторінки:7-9
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • V. A. Zavadsky — Odessa National Maritime Academy, Odesа, Ukraine
  • S. V. Lenkov — National Aviation University, Kyiv, Ukraine
  • D. V. Lukomsky — National Aviation University, Kyiv, Ukraine
  • V. A. Mokritsky — Odessa National Maritime Academy, Odesа, Ukraine
Автори: Zavadsky, V. A., Lenkov, S. V., Lukomsky, D. V., Mokritsky, V. A.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Теми:
GaAs
эпитаксиальные слои
облучение быстрыми нейтронами
подвижность носителей заряда
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.07
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:The paper demonstrates the possibility of controlling the parameters of gallium arsenide epitaxial layers using radiation treatment with fast neutrons. From a technological perspective, neutron irradiation is proposed to be divided into two types depending on the radiation dose. The first one (radiation doses up to 1·1015 cm–2) can serve as a means of improving the properties of the layers by increasing carrier mobility and operation speed. The second one (radiation doses exceeding 5·1015 cm–2) reduces the concentration and mobility of charge carriers.
ISSN:3083-6549

Схожі ресурси