Спектральная фоточувствительность Ni–Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

Surface-barrier structures are used as a photodetector with injection amplification. The photosensitivity spectra of diodes based on gold-compensated silicon are investigated. The contribution of various energy levels to the injection amplification is discussed. The highest amplification occurs for...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Datum:2002
Heft:6
Сторінки:16-19
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • Sh. D. Kurmashev — I. I. Mechnikov Odesa National University, Ukraine
  • I. M. Vikulin — Odesa National Academy of Telecommunications named after A. S. Popov, Ukraine
  • S. V. Lenkov — Odesa National Academy of Telecommunications named after A. S. Popov, Ukraine
  • R. G. Sidorets — Odesa National Academy of Telecommunications named after A. S. Popov, Ukraine
Hauptverfasser: Kurmashev, Sh. D., Vikulin, I. M., Lenkov, S. V., Sidorets, R. G.
Format: Artikel
Sprache:Western Frisian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.16
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Institution

Technology and design in electronic equipment