Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2002
• Heft: 6
• Сторінки: 26-29
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: V. V. Kurak — Kherson National Technical University, Ukraine — ORCID: 0000-0002-4303-5671; V. V. Tsybulenko — Kherson National Technical University, Ukraine; V. L. Agbomassou — Kherson National Technical University, Ukraine
• Hauptverfasser: Kurak, V. V., Tsybulenko, V. V., Agbomassou, V. L.
• Format: Artikel
• Sprache: Vietnamesisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Schlagworte: фотоэлектрические преобразователи; метод ЗПГТ; световой нагрев; гетероструктуры AlGaAs–GaAs; квантовые точки
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.26
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A new technology for creating silicon edge-defined photovoltaic converters (PVCs) by the TGZM method, in which the temperature gradient is created by light heating on the "Uran" system, is proposed. The efficiency of PVCs manufactured by this method is about 11% without the use of...