Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2002
• Випуск: 6
• Сторінки: 30-32
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: S. I. Krukovskyi — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
• Автор: Krukovskyi, S. I.
• Формат: Стаття
• Мова: Сомалійська мова
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Теми: жидкофазная эпитаксия; эпитаксиальные слои; комплексное легирование; редкоземельные элементы; электрофизические параметры
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at...