Krukovskyi, S. I. (2002). Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 6, 30-32.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Krukovskyi, S. I. "Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии." Технологія та конструювання в електронній апаратурі 6 (2002): 30-32.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Krukovskyi, S. I. "Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии." Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 6, 2002, pp. 30-32.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.