Зображення обкладинки

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2002
Випуск:6
Сторінки:30-32
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • S. I. Krukovskyi — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
Автор: Krukovskyi, S. I.
Формат: Стаття
Мова:Сомалійська мова
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Теми:
жидкофазная эпитаксия
эпитаксиальные слои
комплексное легирование
редкоземельные элементы
электрофизические параметры
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at.% allows obtaining GaAs and InGaAs epitaxial layers with a mobility of 50,000 and 116,000 cm²/V·s, respectively. Possible mechanisms of the effect of Yb and Al on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers are analyzed.
ISSN:3083-6549

Схожі ресурси