Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Datum:2002
Heft:6
Сторінки:30-32
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • S. I. Krukovskyi — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
1. Verfasser: Krukovskyi, S. I.
Format: Artikel
Sprache:Somali
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Institution

Technology and design in electronic equipment
_version_ 1873277323150622720
author Krukovskyi, S. I.
author_facet Krukovskyi, S. I.
author_institution_txt_mv [ { "author": "S. I. Krukovskyi", "institution": "SPA «Karat», Lviv, Ukraine", "orcid": "" } ]
author_sort Krukovskyi, S. I.
baseUrl_str https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai
collection OJS
container_end_page 32
container_issue 6
container_start_page 30
container_title Технологія та конструювання в електронній апаратурі
container_volume
datestamp_date 2026-08-11T15:29:27Z
description The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at.% allows obtaining GaAs and InGaAs epitaxial layers with a mobility of 50,000 and 116,000 cm²/V·s, respectively. Possible mechanisms of the effect of Yb and Al on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers are analyzed.
first_indexed 2026-08-12T01:01:09Z
format Article
fulltext �� ��������� ���� ����� ��������� ������� �� � ������ ����� ������� ����������������������������� �������������� �������� � � �� !�� ����� "����������������������� �� � �� � #$%�����&' ��$�� � ( ��) �������� ����� �� �� �� * �� ���� � +,����� -��.��&��� /������������ ������ �� �� 0(����1 2&34567� 89:8;<=8>?@;6>ABC 6<5< :4 ("'D+E(%-"E�+EFGH"IJ-GE�%+"EI��K4L=��MAK4L= DHG�NG�("OJP-"Q�RDG�J(%GG ����������� ������������� ��� !��� "#$�����%����$�"�$������""� &$"���#"� �����'�#��������(�)�����$�"���"��%* ����$���!����%�����+�#�������+�&���� ""*�(���"��%� %��S��� ������T����� �K4L=��L6K4L=��MAK4L= ����,/����������������.����� ���,�T��U����� �V& � �������V�������������/� .�T�����. ������ �� W!���X �%��Y����,�����.�� ��. ��T��������J�I���S��& ���������� ������ �V��� �V���������Z ��T��� � U����T���� V����� � � ��V� ���� ������� ������� V� � ��W!���X �' ����T�� ���SV ����T����� ���& ��.������ �� / ����V����������Y � �U�/������ & �� � �#NOR)���� � ����T��/��.�� �� ��UU � ��& ������ �� �� ��� ���[ ���� V�������S��,Z ��W�X I����/ ����� V�����S��,Z ������V���� �����J�I����/& � ������������ �������.�� ��� �� � ��,�T�����& ���,&� ��������� V��� ���������V��� ����� ���� & V�����#! �\)]!�!\��V^�� ��TZ��W_X G��������� ����� ���U / .�� ������V���������& ���K4L=���� ������T���������V����� /��������T& V � ���� �/�V��,�TV ����V����V �# �V��� �������& ����� �)������.���T��NOR��� �����������V����& ����`��a\��bc�W�X���� �/�����.�������V���� ����& /���������[����������V��,Z �,�U������� ������& ��� ���� V��������� �� � ��,�T������� �D� ����V �V��,Z�� �� ��������� ����!�!\�V^���������Y��& ���,���[�������TV������V����� Y���� �������T� ��� ����� �D�����,�T��/��.�� �� ��������� � ����& � Y���� ������ ���T������ �� � ��,�T��������K4L=� ����.���T��NOR��� ����,/���� �V� �V��� ��� � �� ����� ������������ �a�������������TZ����/��& .�� �������.���T���� ��� ����� ����������, �����& �/�V��,�TV ����V����V �I����/ ����� V���/� ��� ������� � ��������� ���UU� ��� �V��� ��� ����& ����� �� ������� ��V���� �����J�I� I����������S������������T� ��������� ���� �� & � ��,�T��������K4L=��MA'K4!^'L=�#'d���`a��_)����& ��.���T��V�����V�NOR��� �����������V�����������a ���bc� /����������� ��� ����� ������� ���������& V�����ef� �L6 �G������� � ��������� ���������� � � ���������S��������� �� ����,/���� �V��������������& ��V�T�� ��������� ����K4L=aMAK4L=aL6K4L=���� U�������S��/��������������.�������� -���[ ��� �� �� �� � ��,�T�� ������ K4L=�� MAK4L= ���[���������,�V�����V�NOR����������� ���� �� /��& ���,�TV� ��� ����V� �� ������� ���Z���� �� � �� � H����& ���� /�/��� ���������� !� VV � (� ����� /�� �� ������ K4L= ������ ���,� /� ��� ��T�����������MAK4L=�a� /� �� �& �T�� ���������&����������� �� ������T�� ����S �V� ���V � �V � I� �.������ �����Y � ����,/������� ����& /�� ���[ �� K4L=� V�� � JFgD&� � D����Y � ST� �� ��� �����T� �� ��������� � #!��)� �� ��/�� ����� �� !�h��������������� ��� �#!!�) �����U��V ����� ��Z ��T ����,/������� ��� �� V�� � F�ii�iii\�� �� �� V�� G-��������V � ��ii�iiii� � ����S ��ii�i H������T&�������T� ������� ���,��� ��� ��Y �� �, ��V��������� ����V�� � �V� �� /�� �����������������& ��� ����������������\��bc�� �!���. �-���[ ��� ������� ������ ���,��� �����������V�����������a���bc����� �& ����,� � ����� /�� �������������!��a!��bcjV � ����[ & ����� �� � ��,�T������������� ���,��������������a!��V V (��������� �� � ���� Y����,� ��� ������ ��������& � �,�����UU� ���k���� ���� ��������� ���� �� ���� ����� �����������& ���������� ����S �V� ����V � �V������� ���U / .��& �����������������K4L=� � MAK4L=�ST� ���������T ������� �� ���� V����� �I����������� ��������T& �������T� ��� �� � �� ���� ����� �,����, ����� �/�& V��,�TV����V����V�a�ef �(��������� �� ����S �� /& V������,�����������������������__��� l �I�����������& � �� ���� V�������������T&�������T� ��� ���� ��& ��� �,��������V����� ����S �V� ����V � �V �I� ��& � ��T������������ ��������� �����V � ����������& ������!�� ��������� l���������������&���������� �� � a����!���� l �(��������� �� ����S �������������� ��& � �� /V������,������������__��� l��������������� �� � a������������!���� l "��S������ ��� �� ��ef� �L6������� ���U / .��& �����������������K4L=� �MAK4L=������.���T��NOR� ���S��Y��������T����� ������T������������ �� -��� � �!��� �����T�/�� � V��� � ��������� ��� ������� ��T�� ����� �� � ��,�T��������K4L=� MA'K4!^'L=���T��[���T�� /����������� ��� �� � �& � ����� ������T�� ����S �V� ����V � �V �(� �� �& ��� /� � ��� ��� ������ �� ����S �� �� �������T&���& ����T� ��� �� � �� ��# � �T��-� �.)��������Y������ �V��,Z�� �V� ��������� ���� ����������� �� � & ��,�T������� �D� � ��������� � ����S ��m�������� l ���� ��� ��T�� �m���!���� l����� �� ��T��������& ���&������������� ���� �� ����� ��� ��������� & V��� ��� �� � ��,�T�������� /�/&���,&� � ��� ���Y� ���� ����������� �� ��������� ���� ���������S��& ������� �� � ������ ����� ������� ����������������������������� �! ��������� ���� ����� ��������� ����������� �� � ��,�T��������K4L=� �MAK4L=��� �������V����V��� ����� � ����S �V� ����V � & �V� � ����������� ��� ����� � � �� ��# � �T��.�0�1) D� ����� Y�� � ����S �V�����������T�� � � .��& �� /��.�� ��2 �#ef)� �� ���������� ��� �� � �� � ��� ���� �� ����� ��� ��������� V��� �������K4L= �MAK4L= �D� ����� .�� � ��������� ����V � � /��.�� ��2 �#ef)���[����������V��,Z�������������& ��� ��������� .�TV�/��.�� �V�2 �#ef)����������� ����.���T�� /����������&������������� ������T� ���, �� ����S �V %���������V�� �,��.��� ����� ��� ��������� V��� ����������MAK4L=���� ���� ���� �V��,Z ��/��.�� & ��� ����S ������������ ���������V �K4L= �D�&� � & V�V���������UU� ��V�Y���ST�,��S��������� � ���/& � .���� ��������� ���U����T���� V������� �� � ��� ���� � ���/� .�����UU� � �����,���/� V����& ��� �� ����S ����U����TV ��� V���V ������������ ��� �� � �� � -��� � ����� �����T�/�� � V��� ����� Y���� ��� ���������������K4L=� �MAK4L=���T��[���T��NOR /����������� ��� �� � �� ����� ������T��ef� �L6 %������ �� /��.�� �� ���� Y���� � �� ������ K4L=� MAK4L=�� /V�����T���� �����(� �\�(�# � �T��0� �1)� �� �/T������.����� ���[������������ .������ � ���� ������K4L=���� � �a����S�����a�����MAK4L= �R�� V�Y����� �����,�������,��S��UU� � �����0�. �� �1 �� �� � ��,�T�����������U����T���� V���� %������ ���� ������T����/��,����������Z V ����TV ����������V���� ����� �� ����S �V� ����& V � �V��� �� � ��,�T��������K4L=���T��[���T� NOR�����V���������V�� ���/����`��a\��b%�W�X� �� �/T������.������� ���� /V���� ����� ���U / & .�� ������V����������������� �"��� ����. �� �& ���� �� ��������� V��� ����� �� � ��,�T������� K4L=������.���T���� �� / ����V�������������� & ����������������V��,Z �� ��������� �� ����S ��a ������_���� l� #�� � `��a\��b%)� ��� ������ �� l� ��� ������� �T��[���T�� �� � ���a���b%�� .��� V�Y�� �Sn��� �,��V��,Z�� �V� �� .�������� V����������& ���[ ������ �� � ��,�T��������� ��� Y�� ���V& �������T��� �� � (� � /������� W��� � � !_\X�� ������TV �U����TV �� V���V ���K4L=� �MAK4L=�����������VU�����T� ��V� �� � ������ �(��V� ���� �� / ����V����& �������� �� � �V�Y���/�� V��,��� ����T���/�T�� ��� ����������Z�� � �( �������V�Y�����������, ��S�� � �������W���� �!��X� � � �� ����������/�� � & V��� ��������� ���T��[ ��� ��W\X G����S �� ����V � ��������������V����V ����& �,��� ����T��������Z�� �� �K4L=� �MAK4L=��� �� /��������TV �� ������V�����V� ��� �V���� �����, ������T�������T�a���V�S������.����T�� ������� Y& ����,���� ������/���������� �� � ��,�T���������� & �����,��������S��������� ���� ���� V���T��������� (��������T����� ��� ����S �� V����/��.�� ��!��\�ŠW`��� ��\X��.�����[�������������TZ����/��.�� �� �& �������� ����� ���� ��� ��a�!�����W`��� ��_X �D�& ���V������������,����Y��� �� ����S ���������Z�� � ��� �����T�� � �R����������Y�������/��,���T� �& �������� ����������W�X�� ����T��� ����,/���V�����0V�& .��T�����V��1���� �/�� ��.���V� � V��,���� �����& ���� �� ����S ����������K4L=���T��[���T��NOR� V�Y������������,�!�!���V^� ��� V��S��/�V���� S�& �����������TV�������������/T��� �� ����S �V�U���& �T���� V����������������&���������� ����������& [�� �� ��������� ������ �� � ��,�T������ ��� �� ���� �����/� V������� ����� �/�V��,�T�����V����� �������Y����������������S���W���i��!�X����� V���� & �V�U�����V ��������T�� �������� �� /V���� � %V�[�� �� ��. � ����� � � ��� ������ V��� ����������������V��,Z �� ��������� �� ����S ��� ��������&�������������� Y���� Y�� �� ��������� ����TZ�� ������ Y���� �������T����� �������� �V��� ���V��� ����� ����V � �V� � ����S �V ���������� ��� �� � �� ��V�Y����Sn��� �,���V��.�� ���V � ��� V��� ��������T����� ���!�����W`��� ���X� ���� ���������Z�� �� ��� � �(��������� ���� ��� � ��� ������ �� � ��,�T���������V��,Z������ ������& ������������ �V��,Z������ ����������,� ����� ��� � ��V� ���� � ���� .�� �����Z�� ��K4L=� �MAK4L= H � �� �P�� � V���,������ Y���� ������ �� � ��,�T������� K4L=�#-��.��0)� �MA'K4!^'L=�#3��1)���� ��������� �L6� �ef ������������ ��� �� � �� �7 -��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6 (300 K) (300 K) (300 K) (300 K) (77 K) (77 K) 3 5 5 4 3 2 1 (300 K) 4ef���� l D �� � Y �� �� ,� �� V � j I ]� ��� �����������!��������������������������������������������������������_ !�� !�_ $� �� V ^� H � �! ��P�� � V���,� ��������� �/���� ������� ��T�� ���� �� � ��,�T��������K4L=�#-��.��0)� �MA'K4!^'L=�#3��1)��� ��������� �L6� �ef�#5ef)������������� ��� �� � �� �7 -��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6 ��� ������������!������������������������������������������������_ 3 4 7 300 K 5 4 3 2 1 4ef���� l !�!` !�!� !�!_ !�!� �� ��������� ���� ����� ��������� ������� �� � ������ ����� ������� ����������������������������� G/��Y���T���TZ��V���� /V��� �� �� /�������& �T�� ���� �/�V��,�T�����V����������������������� K4L=� �MAK4L=������������ S������������TV �%����& �����V�� �,��.������U��V ����� ����� ���U / .��& ����������������V� ���� �/T���,��� �� �� � � ��& S� ��� �������T�� �������T������� ����.��� �V ����������� � �V�� ����S���������T��/�V�[�� & �V� �������V����V���VTZ,� �� � ��� � ��p����� ��& S� ��� /�.�� ����������S��VT����S������ ���.�� � U�����V ��������T�� /V���� ���� � �� ��T����V& �������������� ���� �� � ��S� ��������������� .& ���� ������ V���&��� ���� �� � � ��������� ��V�� ��V��������,�T�� ��������� � I� ������ ���V���K4L=aMAK4L=������� ���U / & .�� ������V���T�������MAK4L=���������������� �& � ��V� ���� �/T���,��� Y�������Y�� �����/� ��& [ ����� ����� ��� ��� /&/����/� . ��������V����� ��Z��� �H�/� ���������V��������Z�� ��� ������ �& ��V��� K4L=aMA6K4!^6L=� #'d��_)� � MAqaMA6K4!^6L= #'d��_)������������_��� ���\�l���������������� ���� ���� � �� � �� �� �� �� ST��� ���������� ������� � ��� ���U / .�� ������V������#���� Y���� � � ��& ������� ���� �����)�������MA6K4!^6L=�#'d��_)����& ��.���T����������Y ���MAq7rB� ������Y �������& /�� ���[� ��K4L= �pT����������������.������ & . ��������V��������������������S������l �R������ & � .�� ��� /V�� V������.����,�� /V���� ���������& � k����� ^� _l � �� V� �S��/�V�� V���� .�� �� ��& ���Y�� �����/� ��[ ���� ������ ���V�����[������& �������� ���������� ���U / .�� ������V���T����& ���������������[ V�U� ����V���������� ��������& � ���� �/�V��,�� ��#ef)� � /��������� ��#L6)����& V���������������&�������� "������V������������ �������V���� /V���� � � � �/� V������� �� ����S ����U����TV ��� V���V � �V��,Z�� ������������ ����Y��� �� ��V� ���������& Z�� �� ��� ���� ������� ����V � �����������&���& ��������/����������� ��,��UU� � ������. �� ����& ���K4L=� �MAK4L=������ ������ ���VT���� V���� sss D��������T�� ��������� ���� �/�� ��.��� �V�& �� ������� ����� �� �� ��T�� � ��� ��T��������& ���&���������� ����S �V� ����V � �V��� � � ����& � /�� �������K4L=� �MAK4L=��� �����������V����& �������a���b%���/����������� ��,�/��.�� �� ��& ������� ���� ���������������K4L=�m#� �)]!�!��V^� #���� ()� � ���� Y���� � m������ �V�jI]�� #\\� ()�� �� � ������MA'K4!^'L=�#'d���` ��_�)�a����������������/��& .�� ��m�]!�!��V^��#����()� �m!!������V�jI]��#\\�() R������/��,����V�Y����Sn��� �,� ����� ���[ V����& ��� �V� ����S ���������Z�� �� �U����TV��� V�& ��V������������&���������� ��� �� � �� ������� Y� �V��,Z�� �V� ��������� � ��V� ����������S�� �& ���������� ��� ������V � ���������Z�� �� ��� � D���.���T����/��,���T�V� ���ST�,� ����,/����T �� �����.�� ��� �� � ��,�T������ ��������U���& �� �V� ����U�������S��/��������������.��������& ������. �����V�������T�����. ��� �� / ���[ � /��.�� � G%D"+tP"IJ--uE�G%�"g-G(G ! (����, ����I �G ��H�� V���- �� ��T������/ ����T� � � ����T����������� ��������� ��� a� ��Z ���7�OJ-� !i`� � v;<;CA>� w �� q9;xy4z8;<4� { �� |}4A=8>� ~ �� |4<4}56� w q9B@494C5;A� 4A}� @9;@B9C5B=� ;�� 29� 4A}� ef� };@B}� MA&f4=B} =B35x;A}:xC;9� x;3@;:A}=� ��� czBxy;=6;<48� w;:9A46� ;� qy>=5x= a�!iii a��;6 �_i��v�� a�q �\�\a\�� � �p��������I �J ��E� ��J �F ��N�� ��p �F � ��� �'���& � /V��� �� ����� �/�V��,�T�����V����������������������� K4L=�� �T��[���T�� Y � �U�/���� �� �� � ��� ��(��� � ���S[�� �����U / � a�!i`\ a���i a�% ���a�_ _ �*U V����I �p ��J .�� ��H �k �O / �&� V .�� � �����T� Y � �U�/���� �� �� � a� ' 7� '������� �� !i`� � �(�� ���, ��% �� ��H S� �" �I ��'� ����� �" �I �� �& �V������S��� ������Z�� �K4L=����L6K4L=����� V����HOE ����/ �����������!&��* �����, ������ � ��U �/�U�/ ���& ���������� �� �� �! a����� a�"���� a�% �!�i � � � Z ���� O � % � � UU�/ �� � �� ����� �� �� ����& ������� ��T��V���� ����� ��� S���� a�( Z ���7��� & �����!i\` \ �L66BA�� �2 ���;��w �� ��yB;9>�;��K4L=&;�5}B�5ACB9�4xB =C4CB=� ��� �;6 � �C4CB� c;33:A a� !i`� a� �;6 � _��� v� _ a q ��\ia�`! ` �%����,.�� ��% �% ��+�S�����I �I �%��� ��� ��J�I� %�����.� a�' 7�'������� ���!i`_ i �'��������I �O ��P������ ���+ �O �H�� �/�V��,�T� ���V���T���J�I������O�D a�!ii� a�� ��_ a�% ��!�a��i !� �%�V������F �' ��(� Z��S�� �F ��(���, ��I �D ������ I���� ����������� ���� ��Z�������������� ������� ��� �& ������ ������ ����/����������S��V��S��� �����V����*ON a !ii� a�� �_�����!� a�% �!!�!a!!�� ��������� ������������������ ��� !"��������!�#��$� %��$#����!&�$� �����#�� ��#�&������'��$�����(��)������� �*+,-� ./��00,�12 �����/�� ��3�.���$�4�5� 6�7�3�74 #8529�:;�<*-�=�,>0?>00;�@.3�29�:;�<*-�=�,>0?>00- A?BCDE9�FEFGHIJKLMIDBFNMJ2IO PPP2MIDBFNMJ2IO�FNMJFEFGHIJKDGC � ��� ��� ������������ ��������
id oai:tkea.com.ua:article-1323
institution Technology and design in electronic equipment
issn 3083-6549
keywords_txt_mv
language Somali
last_indexed 2026-08-12T01:01:09Z
publishDate 2002
publisher PE &quot;Politekhperiodika&quot;, Book and Journal Publishers
record_format ojs
resource_txt_mv wwwtkeacomua/6b/bc6bc3cb5e26cd3103ff2f5cc5f2f66b.pdf
spelling oai:tkea.com.ua:article-13232026-08-11T15:29:27Z Complex doping of GaAs and InGaAs layers during liquid phase epitaxy Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии Krukovskyi, S. I. liquid phase epitaxy epitaxial layers co-doping rare-earth elements electrophysical parameters жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные слои комплексное легирование редкоземельные элементы электрофизические параметры The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at.% allows obtaining GaAs and InGaAs epitaxial layers with a mobility of 50,000 and 116,000 cm²/V·s, respectively. Possible mechanisms of the effect of Yb and Al on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers are analyzed. Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см2/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. PE &quot;Politekhperiodika&quot;, Book and Journal Publishers 2002-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2002): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-32 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30/1222 Copyright (c) 2002 Krukovskyi S. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
spellingShingle жидкофазная эпитаксия
эпитаксиальные слои
комплексное легирование
редкоземельные элементы
электрофизические параметры
Krukovskyi, S. I.
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_alt Complex doping of GaAs and InGaAs layers during liquid phase epitaxy
title_full Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_fullStr Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_full_unstemmed Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_short Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
title_sort комплексное легирование слоев gaas, ingaas при жидкофазной эпитаксии
topic жидкофазная эпитаксия
эпитаксиальные слои
комплексное легирование
редкоземельные элементы
электрофизические параметры
topic_facet liquid phase epitaxy
epitaxial layers
co-doping
rare-earth elements
electrophysical parameters
жидкофазная эпитаксия
эпитаксиальные слои
комплексное легирование
редкоземельные элементы
электрофизические параметры
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30
work_keys_str_mv AT krukovskyisi complexdopingofgaasandingaaslayersduringliquidphaseepitaxy
AT krukovskyisi kompleksnoelegirovaniesloevgaasingaasprižidkofaznojépitaksii