Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Heft: | 6 |
| Сторінки: | 30-32 |
| ISSN: | 3083-6549 |
| Автори та афіліації: |
|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Somali |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |
|
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1873277323150622720 |
|---|---|
| author | Krukovskyi, S. I. |
| author_facet | Krukovskyi, S. I. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "S. I. Krukovskyi",
"institution": "SPA «Karat», Lviv, Ukraine",
"orcid": ""
}
] |
| author_sort | Krukovskyi, S. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| container_end_page | 32 |
| container_issue | 6 |
| container_start_page | 30 |
| container_title | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
| container_volume | |
| datestamp_date | 2026-08-11T15:29:27Z |
| description | The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at.% allows obtaining GaAs and InGaAs epitaxial layers with a mobility of 50,000 and 116,000 cm²/V·s, respectively. Possible mechanisms of the effect of Yb and Al on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers are analyzed.
|
| first_indexed | 2026-08-12T01:01:09Z |
| format | Article |
| fulltext |
��
���������
����
����� ���������
�������
��
�
������
�����
�������
�����������������������������
��������������
��������
�
�
�� !�� �����
"����������������������� ��
� ��
�
#$%�����&'
��$�� � (
��)
��������
�����
��
��
��
*
��
���� � +,����� -��.��&���
/������������ ������
��
�� 0(����1
2&34567� 89:8;<=8>?@;6>ABC 6<5< :4
("'D+E(%-"E�+EFGH"IJ-GE�%+"EI��K4L=��MAK4L=
DHG�NG�("OJP-"Q�RDG�J(%GG
����������� ������������� ��� !���
"#$�����%����$�"�$������""� &$"���#"�
�����'�#��������(�)�����$�"���"��%*
����$���!����%�����+�#�������+�&����
""*�(���"��%�
%��S���
������T�����
�K4L=��L6K4L=��MAK4L=
����,/����������������.�����
���,�T��U�����
�V&
�
�������V�������������/�
.�T�����.
������
��
W!���X �%��Y����,�����.��
��.
��T��������J�I���S��&
����������
������
�V���
�V���������Z
��T���
�
U����T����
V�����
�
�
��V�
���� �������
�������
V� �
��W!���X �'
����T��
���SV
����T�����
���&
��.������
��
/
����V����������Y
�
�U�/������
&
��
�
�#NOR)����
�
����T��/��.��
��
��UU
�
��&
������ �� ��
���
���[
����
V�������S��,Z
��W�X
I����/
�����
V�����S��,Z
������V����
�����J�I����/&
�
������������
�������.��
���
��
�
��,�T�����&
���,&�
���������
V���
���������V���
�����
����
&
V�����#! �\)]!�!\��V^��
��TZ��W_X
G���������
�����
���U
/
.��
������V���������&
���K4L=����
������T���������V�����
/��������T&
V
�
����
�/�V��,�TV
����V����V
�#
�V���
�������&
�����
�)������.���T��NOR���
�����������V����&
����`��a\��bc�W�X����
�/�����.�������V����
����&
/���������[����������V��,Z
�,�U�������
������&
���
����
V���������
��
�
��,�T������� �D�
����V
�V��,Z��
��
���������
����!�!\�V^���������Y��&
���,���[�������TV������V�����
Y����
�������T�
���
����� �D�����,�T��/��.��
��
���������
�
����&
�
Y����
������
���T������
��
�
��,�T��������K4L=�
����.���T��NOR���
����,/����
�V�
�V���
��� �
��
�����
������������
�a�������������TZ����/��&
.��
�������.���T����
���
�����
����������,
�����&
�/�V��,�TV
����V����V
�I����/
�����
V���/�
���
�������
�
���������
���UU�
���
�V���
��� ����&
�����
��
�������
��V����
�����J�I�
I����������S������������T�
���������
����
��
&
�
��,�T��������K4L=��MA'K4!^'L=�#'d���`a��_)����&
��.���T��V�����V�NOR���
�����������V�����������a
���bc�
/����������� ���
�����
������� ���������&
V�����ef�
�L6 �G�������
�
���������
����������
� �
���������S���������
��
����,/����
�V��������������&
��V�T�� ���������
����K4L=aMAK4L=aL6K4L=����
U�������S��/��������������.��������
-���[
���
�� ��
��
�
��,�T�� ������ K4L=�� MAK4L=
���[���������,�V�����V�NOR�����������
���� ��
/��&
���,�TV� ���
����V� ��
������� ���Z���� �� �
�� � H����&
���� /�/��� ���������� !� VV � (�
�����
/��
�� ������ K4L=
������
���,�
/� ���
��T�����������MAK4L=�a�
/�
��
�&
�T�� ���������&����������� ��
������T��
����S
�V�
���V
�
�V � I�
�.������ �����Y
�
����,/������� ����&
/��
���[
�� K4L=� V��
� JFgD&� � D����Y
� ST�
��
���
�����T� �� ���������
� #!��)� �� ��/��
�����
��
!�h���������������
���
�#!!�) �����U��V
�����
��Z
��T
����,/������� ���
�� V��
� F�ii�iii\��
��
�� V��
G-��������V
�
��ii�iiii�
�
����S
��ii�i
H������T&�������T� �������
���,��� ��� ��Y
��
�,
��V���������
����V�� � �V� ��
/��
�����������������&
���
����������������\��bc��
�!���. �-���[
���
�������
������
���,���
�����������V�����������a���bc�����
�&
����,�
�
�����
/��
�������������!��a!��bcjV
� ����[
&
�����
��
�
��,�T�������������
���,��������������a!��V
V
(���������
��
� ����
Y����,� ���
������ ��������&
�
�,�����UU�
���k����
����
���������
����
��
����
�����
�����������&
����������
����S
�V�
����V
�
�V�������
���U
/
.��&
�����������������K4L=�
� MAK4L=�ST�
���������T
�������
��
����
V����� �I�����������
��������T&
�������T� ���
��
�
��
����
�����
�,����,
�����
�/�&
V��,�TV����V����V�a�ef �(���������
��
����S
��
/&
V������,�����������������������__��� l �I�����������&
�
��
����
V�������������T&�������T� ���
����
��&
���
�,��������V�����
����S
�V�
����V
�
�V �I� ��&
�
��T������������
���������
�����V
�
����������&
������!��
��������� l���������������&����������
��
�
a����!���� l �(���������
��
����S
�������������� ��&
�
��
/V������,������������__��� l���������������
��
�
a������������!���� l
"��S������
���
��
��ef�
�L6�������
���U
/
.��&
�����������������K4L=�
�MAK4L=������.���T��NOR�
���S��Y��������T�����
������T������������
��
-���
� �!���
�����T�/��
�
V���
�
���������
���
�������
��T��
�����
��
�
��,�T��������K4L=�
MA'K4!^'L=���T��[���T��
/����������� ���
��
�
�&
�
�����
������T��
����S
�V�
����V
�
�V �(�
��
�&
���
/� �
���
��� ������
��
����S
�� �� �������T&���&
����T� ���
��
�
��
��#
�
�T��-�
�.)��������Y������
�V��,Z��
�V�
���������
����
�����������
��
�
&
��,�T������� �D�
�
���������
�
����S
��m�������� l
���� ���
��T��
�m���!���� l�����
��
��T��������&
���&�������������
����
��
�����
���
���������
&
V���
���
��
�
��,�T��������
/�/&���,&�
� ���
���Y�
����
�����������
��
���������
����
���������S��&
�������
��
�
������
�����
�������
�����������������������������
�!
���������
����
����� ���������
�����������
��
�
��,�T��������K4L=�
�MAK4L=���
�������V����V���
�����
�
����S
�V�
����V
�
&
�V�
�
����������� ���
�����
�
�
��
��#
�
�T��.�0�1)
D�
�����
Y��
�
����S
�V�����������T��
�
�
.��&
�� /��.��
��2
�#ef)� �� ���������� ���
��
�
��
�
���
����
��
�����
���
���������
V���
�������K4L=
�MAK4L= �D�
�����
.��
�
���������
����V
�
�
/��.��
��2
�#ef)���[����������V��,Z�������������&
���
���������
.�TV�/��.��
�V�2
�#ef)�����������
����.���T��
/����������&�������������
������T�
���,
��
����S
�V
%���������V��
�,��.���
�����
���
���������
V���
����������MAK4L=����
����
����
�V��,Z
��/��.��
&
���
����S
������������
���������V
�K4L= �D�&�
�
&
V�V���������UU�
��V�Y���ST�,��S���������
�
���/&
�
.����
���������
���U����T����
V�������
��
�
���
����
�
���/�
.�����UU�
�
�����,���/�
V����&
���
��
����S
����U����TV
���
V���V
������������
���
��
�
��
�
-���
� �����
�����T�/��
�
V���
�����
Y����
���
���������������K4L=�
�MAK4L=���T��[���T��NOR
/����������� ���
��
�
��
�����
������T��ef�
�L6
%������
�� /��.��
�� ����
Y����
� �� ������ K4L=�
MAK4L=��
/V�����T����
�����(�
�\�(�#
�
�T��0�
�1)�
��
�/T������.�����
���[������������
.������
�
����
������K4L=����
�
�a����S�����a�����MAK4L= �R��
V�Y�����
�����,�������,��S��UU�
�
�����0�.
��
�1
��
��
�
��,�T�����������U����T����
V����
%������
����
������T����/��,����������Z
V
����TV
����������V����
�����
��
����S
�V�
����&
V
�
�V���
��
�
��,�T��������K4L=���T��[���T�
NOR�����V���������V��
���/����`��a\��b%�W�X�
��
�/T������.�������
����
/V����
�����
���U
/
&
.��
������V����������������� �"���
����.
��
�&
����
��
���������
V���
�����
��
�
��,�T�������
K4L=������.���T����
��
/
����V��������������
&
����������������V��,Z
��
���������
��
����S
��a
������_���� l� #��
� `��a\��b%)� ��� ������ �� l� ���
������� �T��[���T�� ��
� ���a���b%�� .��� V�Y��
�Sn���
�,��V��,Z��
�V�
��
.��������
V����������&
���[
������
��
�
��,�T���������
���
Y��
���V&
�������T���
��
�
(�
�
/������� W��� � � !_\X�� ������TV
�U����TV
��
V���V
���K4L=�
�MAK4L=�����������VU�����T�
��V�
��
�
������ �(��V�
����
��
/
����V����&
��������
��
�
�V�Y���/��
V��,���
����T���/�T��
���
����������Z��
� �(
�������V�Y�����������,
��S��
�
�������W���� �!��X�
�
�
��
����������/��
�
&
V���
���������
���T��[
���
��W\X
G����S
��
����V
�
��������������V����V
����&
�,��� ����T��������Z��
��
�K4L=�
�MAK4L=��� ��
/��������TV
��
������V�����V� ���
�V����
�����,
������T�������T�a���V�S������.����T��
�������
Y&
����,����
������/����������
��
�
��,�T����������
&
�����,��������S���������
����
����
V���T���������
(��������T�����
���
����S
��
V����/��.��
��!��\�Å
W`��� ��\X��.�����[�������������TZ����/��.��
��
�&
�������� �����
���� ���
��a�!�����W`��� ��_X �D�&
���V������������,����Y���
��
����S
���������Z��
�
���
�����T��
� �R����������Y�������/��,���T�
�&
��������
����������W�X��
����T���
����,/���V�����0V�&
.��T�����V��1����
�/��
��.���V�
�
V��,����
�����&
����
��
����S
����������K4L=���T��[���T��NOR�
V�Y������������,�!�!���V^� ���
V��S��/�V����
S�&
�����������TV�������������/T���
��
����S
�V�U���&
�T����
V����������������&����������
����������&
[��
��
���������
������
��
�
��,�T������ ���
��
����
�����/�
V�������
�����
�/�V��,�T�����V�����
�������Y����������������S���W���i��!�X�����
V����
&
�V�U�����V
��������T��
��������
��
/V����
�
%V�[��
�� ��.
�
�����
� �
��� ������
V���
����������������V��,Z
��
���������
��
����S
���
��������&��������������
Y����
Y��
��
���������
����TZ��
������
Y����
�������T�����
��������
�V���
���V���
�����
����V
�
�V�
�
����S
�V
���������� ���
��
�
��
��V�Y����Sn���
�,���V��.��
���V
�
���
V���
��������T�����
���!�����W`��� ���X�
����
���������Z��
�� ���
� �(���������
����
���
�
���
������
��
�
��,�T���������V��,Z������
������&
������������ �V��,Z������ ����������,� �����
���
�
��V�
����
�
����
.��
�����Z��
��K4L=�
�MAK4L=
H
� �� �P��
�
V���,������
Y����
������
��
�
��,�T�������
K4L=�#-��.��0)�
�MA'K4!^'L=�#3��1)����
���������
�L6�
�ef
������������ ���
��
�
��
�7
-��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6
(300 K)
(300 K)
(300 K)
(300 K)
(77 K)
(77 K) 3
5
5
4
3
2
1
(300 K)
4ef���� l
D
��
�
Y
��
��
,�
��
V
� j
I
]�
��� �����������!��������������������������������������������������������_
!��
!�_
$�
��
V
^�
H
� �! ��P��
�
V���,�
���������
�/����
�������
��T��
����
��
�
��,�T��������K4L=�#-��.��0)�
�MA'K4!^'L=�#3��1)���
���������
�L6�
�ef�#5ef)������������� ���
��
�
��
�7
-��3�a����� l�L6o�.��1�a����!���� l�L6o�0�a��������� l�L6
��� ������������!������������������������������������������������_
3
4
7
300 K
5
4
3
2
1
4ef���� l
!�!`
!�!�
!�!_
!�!�
��
���������
����
����� ���������
�������
��
�
������
�����
�������
�����������������������������
G/��Y���T���TZ��V����
/V���
��
��
/�������&
�T��
����
�/�V��,�T�����V�����������������������
K4L=�
�MAK4L=������������
S������������TV �%����&
�����V��
�,��.������U��V
�����
�����
���U
/
.��&
����������������V� ����
�/T���,���
��
��
�
� ��&
S�
���
�������T��
�������T�������
����.���
�V
�����������
�
�V��
����S���������T��/�V�[��
&
�V�
�������V����V���VTZ,�
��
� ���
� ��p����� ��&
S�
���
/�.��
����������S��VT����S������
���.��
�
U�����V
��������T��
/V����
����
� ��
��T����V&
��������������
����
��
� ��S�
���������������
.&
����
������ V���&���
����
��
�
� ��������� ��V��
��V��������,�T��
���������
�
I� ������
���V���K4L=aMAK4L=�������
���U
/
&
.��
������V���T�������MAK4L=����������������
�&
�
��V� ����
�/T���,���
Y�������Y��
�����/�
��&
[
����� ����� ���
���
/&/����/�
.
��������V�����
��Z���
�H�/�
���������V��������Z��
��� ������
�&
��V��� K4L=aMA6K4!^6L=� #'d��_)�
� MAqaMA6K4!^6L=
#'d��_)������������_���
���\�l���������������� ����
����
� ��
� �� ��
��
�� ST��� ���������� �������
�
���
���U
/
.��
������V������#����
Y����
�
�
��&
�������
����
�����)�������MA6K4!^6L=�#'d��_)����&
��.���T����������Y
���MAq7rB�
������Y
�������&
/��
���[� ��K4L= �pT����������������.������
&
.
��������V��������������������S������l �R������
&
�
.��
���
/V��
V������.����,��
/V����
���������&
� k����� ^� _l � ��
V� �S��/�V�� V����
.��
�� ��&
���Y��
�����/�
��[
���� ������
���V�����[������&
��������
����������
���U
/
.��
������V���T����&
���������������[
V�U�
����V����������
��������&
�
����
�/�V��,�� ��#ef)�
�
/��������� ��#L6)����&
V���������������&��������
"������V������������
�������V����
/V���� � � �
�/�
V�������
��
����S
����U����TV
���
V���V
�
�V��,Z��
������������
����Y���
��
��V�
���������&
Z��
�� ���
����
�������
����V
�
�����������&���&
��������/�����������
��,��UU�
�
������.
��
����&
���K4L=�
�MAK4L=������
������
���VT����
V����
sss
D��������T��
���������
����
�/��
��.���
�V�&
��
�������
�����
��
��
��T��
� ���
��T��������&
���&����������
����S
�V�
����V
�
�V���
�
�
����&
�
/��
�������K4L=�
�MAK4L=���
�����������V����&
�������a���b%���/�����������
��,�/��.��
��
��&
�������
����
���������������K4L=�m#� �)]!�!��V^�
#���� ()�
� ����
Y����
� m������ �V�jI]�� #\\� ()�� �� �
������MA'K4!^'L=�#'d���` ��_�)�a����������������/��&
.��
��m�]!�!��V^��#����()�
�m!!������V�jI]��#\\�()
R������/��,����V�Y����Sn���
�,� �����
���[
V����&
���
�V�
����S
���������Z��
��
�U����TV���
V�&
��V������������&���������� ���
��
�
��
�������
Y�
�V��,Z��
�V�
���������
�
��V�
����������S�� �&
����������
���
������V
�
���������Z��
�� ���
�
D���.���T����/��,���T�V� ���ST�,�
����,/����T
��
�����.��
���
��
�
��,�T������
��������U���&
��
�V�
����U�������S��/��������������.��������&
������.
�����V�������T�����.
���
��
/
���[
�
/��.��
�
G%D"+tP"IJ--uE�G%�"g-G(G
! (����,
����I �G ��H��
V���- ��
��T������/
����T�
�
�
����T����������� ���������
��� a� ��Z
���7�OJ-�
!i`�
� v;<;CA>� w �� q9;xy4z8;<4� { �� |}4A=8>� ~ �� |4<4}56� w
q9B@494C5;A� 4A}� @9;@B9C5B=� ;�� 29� 4A}� ef� };@B}� MA&f4=B}
=B35x;A}:xC;9� x;3@;:A}=� ��� czBxy;=6;<48� w;:9A46� ;�
qy>=5x= a�!iii a��;6 �_i��v�� a�q �\�\a\��
� �p��������I �J ��E�
��J �F ��N��
��p �F �
��� �'���&
�
/V���
��
�����
�/�V��,�T�����V�����������������������
K4L=�� �T��[���T�� Y
�
�U�/���� ��
��
�
��� ��(���
�
���S[��
�����U
/
� a�!i`\ a���i a�% ���a�_
_ �*U
V����I �p ��J
.��
��H �k �O
/
�&�
V
.��
�
�����T� Y
�
�U�/���� ��
��
�
a� ' 7� '�������
��
!i`�
� �(��
���,
��% �� ��H
S�
�" �I ��'�
����� �" �I
��
�&
�V������S��� ������Z��
�K4L=����L6K4L=�����
V����HOE
����/
�����������!&��*
�����,
������
�
��U �/�U�/
���&
����������
�� �� �! a����� a�"���� a�% �!�i
� � �
Z
���� O � % � �
UU�/
��
� �� �����
�� �� ����&
�������
��T��V����
�����
���
S���� a�(
Z
���7���
&
�����!i\`
\ �L66BA�� �2 ���;��w �� ��yB;9>�;��K4L=&;�5}B�5ACB9�4xB
=C4CB=� ��� �;6 � �C4CB� c;33:A a� !i`� a� �;6 � _��� v� _ a
q ��\ia�`!
` �%����,.��
��% �% ��+�S�����I �I �%���
���
��J�I�
%�����.�
a�' 7�'�������
���!i`_
i �'��������I �O ��P������
���+ �O �H��
�/�V��,�T�
���V���T���J�I������O�D a�!ii� a�� ��_ a�% ��!�a��i
!� �%�V������F �' ��(�
Z��S�� �F ��(���,
��I �D ������
I����
�����������
����
��Z�������������� �������
��� �&
������ ������ ����/����������S��V��S���
�����V����*ON a
!ii� a�� �_�����!� a�% �!!�!a!!��
���������
������������������
��� !"��������!�#��$�
%��$#����!&�$� �����#��
��#�&������'��$�����(��)�������
�*+,-�
./��00,�12
�����/�� ��3�.���$�4�5�
6�7�3�74
#8529�:;�<*-�=�,>0?>00;�@.3�29�:;�<*-�=�,>0?>00-
A?BCDE9�FEFGHIJKLMIDBFNMJ2IO
PPP2MIDBFNMJ2IO�FNMJFEFGHIJKDGC
�
���
���
������������
��������
|
| id | oai:tkea.com.ua:article-1323 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| issn | 3083-6549 |
| keywords_txt_mv | |
| language | Somali |
| last_indexed | 2026-08-12T01:01:09Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/6b/bc6bc3cb5e26cd3103ff2f5cc5f2f66b.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-13232026-08-11T15:29:27Z Complex doping of GaAs and InGaAs layers during liquid phase epitaxy Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии Krukovskyi, S. I. liquid phase epitaxy epitaxial layers co-doping rare-earth elements electrophysical parameters жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные слои комплексное легирование редкоземельные элементы электрофизические параметры The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at.% allows obtaining GaAs and InGaAs epitaxial layers with a mobility of 50,000 and 116,000 cm²/V·s, respectively. Possible mechanisms of the effect of Yb and Al on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers are analyzed. Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см2/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2002): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-32 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30/1222 Copyright (c) 2002 Krukovskyi S. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные слои комплексное легирование редкоземельные элементы электрофизические параметры Krukovskyi, S. I. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_alt | Complex doping of GaAs and InGaAs layers during liquid phase epitaxy |
| title_full | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_fullStr | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_short | Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии |
| title_sort | комплексное легирование слоев gaas, ingaas при жидкофазной эпитаксии |
| topic | жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные слои комплексное легирование редкоземельные элементы электрофизические параметры |
| topic_facet | liquid phase epitaxy epitaxial layers co-doping rare-earth elements electrophysical parameters жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные слои комплексное легирование редкоземельные элементы электрофизические параметры |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskyisi complexdopingofgaasandingaaslayersduringliquidphaseepitaxy AT krukovskyisi kompleksnoelegirovaniesloevgaasingaasprižidkofaznojépitaksii |