Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2002
• Heft: 6
• Сторінки: 30-32
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: S. I. Krukovskyi — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
• 1. Verfasser: Krukovskyi, S. I.
• Format: Artikel
• Sprache: Somali
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Schlagworte: жидкофазная эпитаксия; эпитаксиальные слои; комплексное легирование; редкоземельные элементы; электрофизические параметры
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The effect of rare-earth and isovalent elements (Yb and Al) on the electrophysical parameters of GaAs and InGaAs epitaxial layers grown by the LPE method from Ga and In melt solutions is investigated. It is shown that co-doping with ytterbium from 0 to 0.044 at.% and aluminum with 0.015 and 0.026 at...