Характеристики компонентів нанокластерної підсистеми гетеропереходів

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2026
• Випуск: 1
• Сторінки: 9-16
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Volodymyr Kovalchuk — Odesa Technological University IT STEP, Ukraine — ORCID: 0000-0001-7460-8092; Dmytro Korban — National University «Odesa Maritime Academy», Ukraine — ORCID: 0000-0002-6798-2526; Maxim Yakovenko — South Ukrainian National Pedagogical University named after K. D. Ushynsky, Odesa, Ukraine
• Ключові слова: electronic structure, наноструктуровані елементи, наноматеріали, nanosystems, наноструктура, nano2, гетероструктура, nanolayered covering, наношерсткість, молекулярні нанокластери
• Автори: Kovalchuk, Volodymyr, Korban, Dmytro, Yakovenko, Maxim
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
• Теми: кремнієві нанокластери; гетеропереходи; матричне оточення; квантово-хімічне моделювання; пасивація; катіонізація; перемикання хімічних зв’язків
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2026.1.09
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A calculation and analysis of the characteristics of nanocluster (NC) subsystem components as structural elements for silicon electronics materials have been performed. Effective computational models were selected to evaluate the structural, energetic, and kinetic characteristics of NCs of various s...