Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2002
• Випуск: 6
• Сторінки: 54-56
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: V. N. Ivanov — Research Institute «Orion», Kyiv, Ukraine; R. V. Konakova — V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine; V. V. Milenin — V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine; M. A. Stovpovoi — Research Institute «Orion», Kyiv, Ukraine
• Автори: Ivanov, V. N., Konakova, R. V., Milenin, V. V., Stovpovoi, M. A.
• Формат: Стаття
• Мова: В'єтнамська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Теми: арсенид галлия; СВЧ-приборы; бориды титана; нитриды титана; термостабильность; омические контакты; выпрямляющие контакты
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.54
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The thermal stability of ohmic and rectifying contact systems AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNₓ—Au, AuGe—TiBₓ—Au, AuGe—TiBₓ—Mo—Au, and Ti—Au, TiNₓ—Au, TiBₓ—Au to n-type gallium arsenide epitaxial structures with a thickness of 3–5 μm and a carrier concentration of (5...6)·1015 cm–3 is considered. I...