Buchumschlag

Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

High-frequency plasma processes for the deposition and etching of functional layers during the formation of LSI structures with topological dimensions of 0.5–0.8 μm are investigated. The technology ensures minimal induced defect density of functional layers (<0.05 cm⁻²), does not affect t...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Datum:2002
Heft:6
Сторінки:57-63
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • S. P. Novosiadlyi — Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine
1. Verfasser: Novosiadlyi, S. P.
Format: Artikel
Sprache:Walisisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Schlagworte:
плазменная технология
субмикронные структуры
БИС
осаждение и травление
гомоэпитаксия
дефектность
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.57
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Institution

Technology and design in electronic equipment
Beschreibung
Zusammenfassung:High-frequency plasma processes for the deposition and etching of functional layers during the formation of LSI structures with topological dimensions of 0.5–0.8 μm are investigated. The technology ensures minimal induced defect density of functional layers (<0.05 cm⁻²), does not affect the charge state of the Si—SiO₂ interface, and creates favorable conditions for low-temperature (<700°C) homoepitaxy of monosilicon and polysilicon on a Si substrate of any orientation type.
ISSN:3083-6549

Ähnliche Einträge