Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
The paper shows that laser recrystallization of polycrystalline silicon films makes it possible to obtain high-quality single-crystal layers, which allows manufacturing functional integrated circuit elements, in particular Hall sensors, within them.
Saved in:
| Published in: | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Issue: | 4–5 |
| Pages: | 40-42 |
| ISSN: | 3083-6549 |
| Author Affiliations: |
|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | yo |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
| Download file: |
|
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1874002082044837888 |
|---|---|
| author | Iskender-zade, Z. A. Kasimov, F. D. Ismayilova, S. A. |
| author_facet | Iskender-zade, Z. A. Kasimov, F. D. Ismayilova, S. A. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "Z. A. Iskender-zade",
"institution": "Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan",
"orcid": ""
},
{
"author": "F. D. Kasimov",
"institution": "Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan",
"orcid": ""
},
{
"author": "S. A. Ismayilova",
"institution": "Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan",
"orcid": ""
}
] |
| author_sort | Iskender-zade, Z. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| container_end_page | 42 |
| container_issue | 4–5 |
| container_start_page | 40 |
| container_title | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
| container_volume | |
| datestamp_date | 2026-08-19T09:54:56Z |
| description | The paper shows that laser recrystallization of polycrystalline silicon films makes it possible to obtain high-quality single-crystal layers, which allows manufacturing functional integrated circuit elements, in particular Hall sensors, within them. |
| first_indexed | 2026-08-20T01:00:54Z |
| format | Article |
| fulltext |
40
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 4�5
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
23.01�16. 07 2002 ã.
Îïïîíåíò ê. ò. í. Â. È. ÇÎËÎÒÀÐÅÂÑÊÈÉ
(ÍÈÈ ÌÏ, ã. Êèåâ)
Ä. ô.-ì. í. Ç. À. ÈÑÊÅÍÄÅÐ-ÇÀÄÅ,
ä. ô.-ì. í. Ô. Ä. ÊÀÑÈÌÎÂ, Ñ. À. ÈÑÌÀÉËÎÂÀ
Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, Àçåðáàéäæàíñêèé òåõíè÷åñêèé óí-ò,
ÎÊÁ êîñìè÷åñêîãî ïðèáîðîñòðîåíèÿ
E-mail: ssddb@azerin.com
Ïîëó÷åííûå âûñîêîêà÷åñòâåííûå ìîíî-
êðèñòàëëè÷åñêèå ñëîè ïîçâîëÿþò èçãî-
òàâëèâàòü â íèõ ýëåìåíòû ôóíêöèîíàëü-
íûõ ìèêðîñõåì, â ÷àñòíîñòè, äàò÷èêè
Õîëëà.
Íåïðåðûâíîå ïîâûøåíèå ñòåïåíè èíòåãðàöèè è
ôóíêöèîíàëüíîé ñëîæíîñòè èíòåãðàëüíûõ ñõåì (ÈÑ)
äèêòóåò íåîáõîäèìîñòü óìåíüøåíèÿ ÷èñëà âûñîêîòåì-
ïåðàòóðíûõ îïåðàöèé, èõ äëèòåëüíîñòè è òåìïåðàòó-
ðû. Áûñòðûå òåðìè÷åñêèå îáðàáîòêè, äëÿ êîòîðûõ
ìîãóò áûòü èñïîëüçîâàíû ïîòîêè ýëåêòðîíîâ, íåêî-
ãåðåíòíîå èçëó÷åíèå èëè ëàçåðíàÿ òåõíîëîãèÿ, íàè-
ëó÷øèì îáðàçîì ñîîòâåòñòâóþò ýòîé çàäà÷å [1].
Íàèáîëåå ïåðñïåêòèâíûì èç âûøåïåðå÷èñëåííûõ
ïðîöåññîâ ÿâëÿåòñÿ ëàçåðíàÿ òåõíîëîãèÿ îáðàáîòêè
ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ [2, 3], îòëè÷àþùàÿ-
ñÿ âûñîêîé ëîêàëüíîñòüþ, èìïóëüñíûì õàðàêòåðîì
è ñåëåêòèâíîñòüþ âîçäåéñòâèÿ íà îáðàáàòûâàåìûå ýëå-
ìåíòû. Îíà ïîçâîëÿåò ïîëó÷èòü êà÷åñòâåííî íîâûå
ñòðóêòóðû è ñäåëàòü ïåðâûé øàã ê ñîçäàíèþ �òðåõ-
ìåðíûõ� ÈÑ [4], ýëåìåíòû êîòîðûõ ðàñïîëàãàþòñÿ
êàê â èçîëèðîâàííîé îêèñëîì ïëåíêå, òàê è â ïîä-
ëîæêå. Ëàçåðíàÿ ðåêðèñòàëëèçàöèÿ ïëåíîê ïîëèêðè-
ñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ (ÏÏÊ) óâåëè÷èâàåò ðàçìåð èõ
çåðåí äî íåñêîëüêèõ äåñÿòêîâ ìèêðîìåòðîâ, ÷òî ïî-
çâîëÿåò èñïîëüçîâàòü ðåêðèñòàëëèçîâàííóþ ïëåíêó
äëÿ ñîçäàíèÿ àêòèâíûõ ïðèáîðîâ.
Èíòåðåñíûå ðåçóëüòàòû ñ òî÷êè çðåíèÿ ôîðìèðî-
âàíèÿ ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèõ îáëàñòåé áîëüøîãî ðàç-
ìåðà ïîëó÷åíû ñ èñïîëüçîâàíèåì ñêàíèðóþùåãî ëà-
çåðíîãî èçëó÷åíèÿ íåïðåðûâíîãî äåéñòâèÿ, îñîáåí-
íî â òåõíîëîãèè �êðåìíèé-íà-èçîëÿòîðå�, ïîýòîìó
èçó÷åíèå ìåòîäîâ ðåêðèñòàëëèçàöèè ñëîåâ êðåìíèÿ
è âîçìîæíîñòåé èõ èñïîëüçîâàíèÿ â òåõíîëîãèè èç-
ãîòîâëåíèÿ ÈÑ ïðåäñòàâëÿåò áîëüøîé íàó÷íûé è ïðàê-
òè÷åñêèé èíòåðåñ. Ëàçåðíàÿ òåõíîëîãèÿ ïîçâîëÿåò
âïëîòíóþ ïîäîéòè ê ðåøåíèþ ïðîáëåìû ñîçäàíèÿ èí-
òåãðàëüíûõ ìèêðîñèñòåì, â êîòîðûõ íà îäíîì êðèñ-
òàëëå, ïîìèìî �èíòåëëåêòóàëüíûõ� ñåíñîðîâ (smart
sensor), ðàçìåùàþòñÿ òàêæå è ñèëîâûå ýëåìåíòû
(smart power), ïðåîáðàçóþùèå ñèãíàëû ÷óâñòâèòåëü-
íûõ ýëåìåíòîâ îò âíåøíèõ âîçäåéñòâèé [5].
Ðåêðèñòàëëèçàöèÿ ÏÏÊ îáû÷íî ïðîèçâîäèòñÿ àð-
ãîíîâûì ëàçåðîì íåïðåðûâíîãî äåéñòâèÿ ñ
äëèíîé âîëíû 0,51 ìêì â ðåæèìå ñêàíèðîâàíèÿ ëó÷à.
Ðàíåå áûëî ïîêàçàíî, ÷òî ïîäâèæíîñòü íîñèòåëåé â
ÊÎÑÂÅÍÍÛÉ ËÀÇÅÐÍÛÉ ÍÀÃÐÅÂ
ÏÎËÈÊÐÈÑÒÀËËÈ×ÅÑÊÎÃÎ ÊÐÅÌÍÈß
ÄËß ÏÎËÓ×ÅÍÈß ÀÊÒÈÂÍÛÕ ÝËÅÌÅÍÒΠÌÈÊÐÎÑÕÅÌ
êàíàëå ÌÎÏ-òðàíçèñòîðà, èçãîòîâëåííîãî â ðåêðè-
ñòàëëèçîâàííîé ëàçåðíûì ëó÷îì ÏÏÊ, cîñòàâëÿåò
ïîðÿäêà 350 ñì2/·ñ [6]. Êîíòðîëüíûå ïðèáîðû, ñôîð-
ìèðîâàííûå â ÏÏÊ, õàðàêòåðèçîâàëèñü ïîäâèæíî-
ñòüþ ~20 ñì2/·ñ, à ïîäâèæíîñòü â òðàíçèñòîðàõ,
èçãîòîâëåííûõ â ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîé ïîäëîæêå, áûëà
ïîðÿäêà 700 ñì2/·ñ. Ñëåäîâàòåëüíî, ðåêðèñòàëëèçî-
âàííàÿ ÏÏÊ ïî ñâîèì ñâîéñòâàì ïðèáëèæàåòñÿ ê ìî-
íîêðèñòàëëè÷åñêîé.
Îäíàêî íåïîñðåäñòâåííûé ëàçåðíûé íàãðåâ èìååò
è ñâîè íåäîñòàòêè, ñâÿçàííûå ñ âîçíèêíîâåíèåì äå-
ôåêòîâ â ðåêðèñòàëëèçîâàííîì êðåìíèè. Â [7] áûëî
ïîêàçàíî, ÷òî âñëåäñòâèå ìåíüøåé ïëîòíîñòè íàïû-
ëåííûõ ñëîåâ ïî ñðàâíåíèþ ñ ìîíîêðèñòàëëè÷åñêè-
ìè â ýïèòàêñèàëüíîì ñëîå ïîñëå ëàçåðíîé îáðàáîòêè
ìîãóò íàáëþäàòüñÿ ìèêðîïóçûðüêè è ñôåðè÷åñêèå
ïóñòîòû. Â ñâÿçè ñ ýòèì ìû èñïîëüçîâàëè ìåòîä êîñ-
âåííîãî ëàçåðíîãî íàãðåâà [8], ïðè êîòîðîì ïîãëî-
ùåíèå ëàçåðíîãî èçëó÷åíèÿ ïðîèñõîäèò â òîíêîé ïëåí-
êå òóãîïëàâêîãî ìåòàëëà, ðàñïîëîæåííîé íàä ïîëè-
êðåìíèåì è îòäåëåííîé îò íåãî ñëîåì äèýëåêòðèêà.
Ðàñïëàâëåíèå ïîëèêðåìíèåâîé ïëåíêè äëÿ ïîñëåäó-
þùåé ðåêðèñòàëëèçàöèè ïðîèñõîäèò â ðåçóëüòàòå òåï-
ëîâîãî ïîòîêà îò íàãðåòîãî ìåòàëëà ÷åðåç ñëîé äè-
ýëåêòðèêà. Òàêîé ìåòîä îáëàäàåò ðÿäîì äîñòîèíñòâ:
âîçìîæíî ïðèìåíåíèå ëþáûõ ëàçåðîâ, îòñóòñòâóåò
íåïîñðåäñòâåííîå âçàèìîäåéñòâèå ëàçåðíîãî èçëó÷å-
íèÿ ñ ÏÏÊ, ïîâûøåíà ñòàáèëüíîñòü ïðîöåññà ðåêðè-
ñòàëëèçàöèè.
Íàìè èñïîëüçîâàëñÿ òâåðäîòåëüíûé ëàçåð íåïðå-
ðûâíîãî äåéñòâèÿ ñ äëèíîé âîëíû 1,06 ìêì, â êà÷å-
ñòâå òóãîïëàâêîãî ìåòàëëà áûë âûáðàí ìîëèáäåí,
îáëàäàþùèé áëèçêèì ê êðåìíèþ êîýôôèöèåíòîì òåð-
ìè÷åñêîãî ðàñøèðåíèÿ è âûñîêîé àäãåçèåé ê êðåì-
íèþ è åãî îêèñëó. Íåäîñòàòêîì ìîëèáäåíà ÿâëÿåòñÿ
òî, ÷òî ïðè âûñîêîé òåìïåðàòóðå îí ëåãêî îêèñëÿåò-
ñÿ. Äëÿ ïðåäóïðåæäåíèÿ ýòîãî ÿâëåíèÿ íà ïîâåðõíîñòü
ìåòàëëà íàíîñèëè ñëîé äâóîêèñè êðåìíèÿ, îäíîâðå-
ìåííî ñëóæàùèé àíòèîòðàæàþùèì ïîêðûòèåì.
Ñîãëàñíî [9, ñ. 32], ýêñòðåìàëüíûå çíà÷åíèÿ ïðî-
ïóñêàíèÿ àíòèîòðàæàþùåãî ïîêðûòèÿ ìîãóò èìåòü
ìåñòî ïðè îïðåäåëåííûõ òîëùèíàõ îêèñíîé ïëåíêè
d1 íà äàííîé äëèíå âîëíû λ, êîòîðûå îïðåäåëÿëèñü
ïî ôîðìóëå
,
2
arctg
ð4
ë
2
2
2
2
2
1
21
1
1
knn
kn
n
d
−−
= (1)
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 4�5
41
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Ïðàâèëüíûì âûáîðîì ïîêàçàòåëÿ ïðåëîìëåíèÿ n1
è òîëùèíû ïëåíêè d1 ìîæíî ñâåñòè îòðàæåíèå îò ïåð-
âîé ïîâåðõíîñòè ê ìèíèìóìó. Ïîñêîëüêó êîýôôèöè-
åíò k âíîñèò ëèøü íåçíà÷èòåëüíûé ôàçîâûé ñäâèã,
îí, â ñëó÷àå êðåìíèÿ, íå âëèÿåò íà ïîëîæåíèå ìàê-
ñèìóìà è ìèíèìóìà êðèâîé çàâèñèìîñòè ïðîïóñêà-
íèÿ îò äëèíû âîëíû, è ïîýòîìó õîðîøèì ïðèáëèæå-
íèåì âûðàæåíèÿ (1), ñîãëàñíî [9, ñ. 35], ÿâëÿåòñÿ
ñëåäóþùàÿ ôîðìóëà:
( ) ( )...5,3,1
4
12
1
1 =λ+= l
n
ld . (2)
Èçìåðåíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî ïðè òîëùèíå ïëåíêè
îêèñëà ~0,2 ìêì êîýôôèöèåíò îòðàæåíèÿ îò ïîâåðõ-
íîñòè ïðè âîçäåéñòâèè ëàçåðíîãî èçëó÷åíèÿ ñ äëè-
íîé âîëíû 1,06 ìêì ñîñòàâëÿåò ïîðÿäêà 30%. Íàëè-
÷èå íà ïîâåðõíîñòè ìîëèáäåíà àíòèîòðàæàþùåãî ïî-
êðûòèÿ òàêæå ñòàáèëèçèðóåò ïðîöåññ ðåêðèñòàëëèçà-
öèè ÏÏÊ ââèäó ïîñòîÿíñòâà âåëè÷èíû ïîãëîùàåìîé
ýíåðãèè â ïðîöåññå îáðàáîòêè.
Òîëùèíà ïîäñëîÿ SiO2 âûáðàíà 0,9 ìêì, ÏÏÊ �
5 ìêì, âòîðîé ñëîé SiO2 � 0,2 ìêì, ìîëèáäåíà �
0,3 ìêì, àíòèîòðàæàþùåé ïëåíêè SiO2 � 0,2 ìêì.
Ðåêðèñòàëëèçàöèÿ ïðîâîäèëàñü ïóòåì ñêàíèðîâàíèÿ
ëó÷îì íåïðåðûâíîãî ëàçåðà ïî ïîâåðõíîñòè ñòðóê-
òóðû. Ìîùíîñòü èçëó÷åíèÿ èçìåíÿëàñü â ïðåäåëàõ
15�30 Âò, ñêîðîñòü ñêàíèðîâàíèÿ � 10 ñì/ñ, òåìïå-
ðàòóðà ïîäëîæêè � 450°Ñ. Êîíñòðóêöèÿ ïîëó÷åííîé
ñòðóêòóðû ïîêàçàíà íà ðèñ. 1.
 ðåçóëüòàòå ëîêàëüíîé ðåêðèñòàëëèçàöèè ÏÏÊ
ïîëó÷àëèñü ó÷àñòêè ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîé ðåêðèñòàë-
ëèçîâàííîé ïëåíêè êðåìíèÿ (ÐÏÊ), â êîòîðûõ ìîæ-
íî èçãîòàâëèâàòü ýëåìåíòû ÈÑ, è ó÷àñòêè ÏÏÊ, êîòî-
ðûå ìîæíî èñïîëüçîâàòü â êà÷åñòâå ÷óâñòâèòåëüíûõ
ýëåìåíòîâ ðàçëè÷íûõ íåýëåêòðè÷åñêèõ âåëè÷èí [10].
Ïîäðîáíåå òåõíîëîãèÿ êîñâåííîãî ëàçåðíîãî íàãðå-
âà îïèñàíà â [8], à òàêæå â [11].
Ïîñëå ïðîâåäåíèÿ ðåêðèñòàëëèçàöèè ñëîè àíòèîò-
ðàæàþùåãî îêèñëà è ìîëèáäåíà ñòðàâëèâàþòñÿ.
Èññëåäîâàíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî ÐÏÊ, ñôîðìèðîâàí-
íàÿ êîñâåííûì ëàçåðíûì íàãðåâîì, îáëàäàåò âûñî-
êèìè ýëåêòðîôèçè÷åñêèìè ïàðàìåòðàìè.
Èññëåäîâàëèñü ïàðàìåòðû p�n-ïåðåõîäîâ,
ñôîðìèðîâàííûõ â ÐÏÊ n-òèïà ïðîâîäèìîñ-
òè ñ óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì 2 Îì·ñì. Àíàëèç ðàñ-
ïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè ïðèìåñåé, ïðîâåäåííûé ñ
ïîìîùüþ çîíäîâûõ èçìåðåíèé (ðèñ. 2), ïîêàçàë âû-
ñîêîå êà÷åñòâî p�n-ïåðåõîäà.
Êîýôôèöèåíò íåèäåàëüíîñòè âîëüò-àìïåðíîé õà-
ðàêòåðèñòèêè p�n-ïåðåõîäà â ÐÏÊ ñîñòàâëÿë 1,2.
Ïðîáèâíûå íàïðÿæåíèÿ ïðè òîêå óòå÷êè 1 ìêÀ ñî-
ñòàâëÿëè ïðèìåðíî 35 Â. Êîýôôèöèåíò óñèëåíèÿ òîêà
β, êàê èçâåñòíî, çàâèñèò îò ïàðàìåòðîâ ýìèòòåðíîé è
áàçîâîé îáëàñòåé è îïðåäåëÿåòñÿ ïî ôîðìóëå
BE
nEB
X
L
ρ
ρ=β , (3)
Èçìåíåíèå ýòèõ âåëè÷èí â ïðîöåññå ëàçåðíîãî îò-
æèãà îòðàæàåòñÿ íà çíà÷åíèè êîýôôèöèåíòà óñèëåíèÿ
ïî òîêó.
Èç ïðîôèëåé ðàñïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè ïðèìå-
ñåé ðàññ÷èòûâàëè óäåëüíîå ñîïðîòèâëåíèå ýìèòòåð-
íîãî ñëîÿ ρE, à íà îñíîâå ýòîãî � è êîýôôèöèåíò
óñèëåíèÿ β, âåëè÷èíà êîòîðîãî ñîîòâåòñòâîâàëà çíà-
÷åíèÿì êîíòðîëüíûõ p�n-ïåðåõîäîâ, èçãîòîâëåííûõ
â ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèõ ó÷àñòêàõ ïëàñòèíû ÊÝÔ-2 â
åäèíîì òåõíîëîãè÷åñêîì öèêëå.
Èñïîëüçîâàíèå ëàçåðíîé òåõíîëîãèè ïîçâîëÿåò
ñîçäàòü â ÐÏÊ ðàçëè÷íûå ÷óâñòâèòåëüíûå ýëåìåíòû,
ñõåìû ïðåîáðàçîâàíèÿ ñèãíàëîâ êîòîðûõ ìîãóò ðàñ-
ïîëàãàòüñÿ â íèæíåì ñëîå ïîäëîæêè. Íàìè â ÐÏÊ
áûë èçãîòîâëåí äàò÷èê Õîëëà (ÄÕ), ÷òî äàëî âîç-
ìîæíîñòü ïîâûñèòü åãî íàäåæíîñòü è óìåíüøèòü îá-
ùóþ ïëîùàäü ìàãíèòî÷óâñòâèòåëüíîé ÈÑ ïî ñðàâíå-
íèþ ñ ðàíåå ðàçðàáîòàííîé òâåðäîòåëüíîé ìàãíèòî-
êîììóòèðóåìîé ÈÑ [12].
Åñëè â ÐÏÊ èçãîòîâèòü äèñêðåòíûå ÄÕ, òî ââèäó
îòñóòñòâèÿ â íèõ èçîëèðóþùèõ p�n-ïåðåõîäîâ òåì-
ïåðàòóðíûé äèàïàçîí ðàáîòû ÄÕ ðàñøèðÿåòñÿ äî
250°Ñ. Èñïîëüçîâàíèå ïîëíîé äèýëåêòðè÷åñêîé èçî-
ëÿöèè ñ åñòåñòâåííûì ñòîï-ñëîåì â âèäå ñêðûòîãî
ñëîÿ ïîçâîëèëî çàùèòèòü ïðèáîð îò ïàðàçèòíûõ ýô-
ôåêòîâ ñî ñòîðîíû ñîñåäíèõ ýëåìåíòîâ, à òàêæå ïî-
ëó÷èòü ìàëóþ òîëùèíó ïëåíêè, ÷òî ïîâûñèëî åãî ìàã-
íèòî÷óâñòâèòåëüíîñòü äî çíà÷åíèÿ 40 ìêÂ/ìÀ·Ãñ, êî-
òîðîå íå óñòóïàåò ëó÷øèì îáðàçöàì èçâåñòíûõ àíà-
Ðèñ. 1. Êîíñòðóêöèÿ ñòðóêòóðû ñ ðåêðèñòàëëè-
çîâàííîé ïëåíêîé êðåìíèÿ (ÐÏÊ):
1 � ïîäñëîé SiO2; 2 � ÐÏÊ; 3 � ÏÏÊ; 4 � ñëîé SiO2;
5 � ìîëèáäåí; 6 � àíòèîòðàæàþùàÿ ïëåíêà SiO2
6
5
4
3
1
2
n-Si
p-Si
Ê
îí
öå
íò
ðà
öè
ÿ
íî
ñè
òå
ëå
é,
ñ
ì
�3
1017
1016
1015
1 2 3 4 5
Ãëóáèíà p�n-ïåðåõîäà, ìêì
Ðèñ. 2. Ðàñïðåäåëåíèå êîíöåíòðàöèè íîñèòåëåé
â p�n-ïåðåõîäå, ñôîðìèðîâàííîì â ÐÏÊ
p-òèï
n-òèï
ïîêàçàòåëè ïðåëîìëåíèÿ îêèñíîé ïëåí-
êè è ïîäëîæêè;
ïîêàçàòåëü ïðîïóñêàíèÿ.
ãäå n1 è n2 �
k2 �
ãäå ρB è ρE �
LnE �
XB �
óäåëüíûå ñîïðîòèâëåíèÿ áàçîâîé è ýìèò-
òåðíîé îáëàñòåé;
äèôôóçèîííàÿ äëèíà ýëåêòðîíîâ â ýìèò-
òåðíîé îáëàñòè;
òîëùèíà áàçîâîãî ñëîÿ.
42
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß ÏÐÎÈÇÂÎÄÑÒÂÀ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 4�5
ëîãîâ, èçãîòàâëèâàåìûõ ïî òðàäèöèîííîé òåõíîëî-
ãèè. Èçìåðåíèÿ ïîäâèæíîñòè íîñèòåëåé çàðÿäà, ïðî-
âåäåííûå ñ ïîìîùüþ ýôôåêòà Õîëëà, äàëè çíà÷åíèå
ïîðÿäêà 700 ñì2/·ñ, ÷òî íàõîäèòñÿ íà óðîâíå çíà÷å-
íèÿ ïîäâèæíîñòè â ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèõ ïëåíêàõ ñî-
îòâåòñòâóþùåé òîëùèíû.
***
Ïðîâåäåííûå èññëåäîâàíèÿ è ïîëó÷åííûå ðåçóëü-
òàòû ïîêàçûâàþò ïåðñïåêòèâíîñòü èñïîëüçîâàíèÿ ëà-
çåðíîé òåõíîëîãèè äëÿ ñîçäàíèÿ ôóíêöèîíàëüíûõ
ìèêðîñõåì, ÷óâñòâèòåëüíûå ýëåìåíòû è ñõåìû ïðå-
îáðàçîâàíèÿ ñèãíàëîâ êîòîðûõ ðàñïîëàãàþòñÿ íà ðàç-
íûõ óðîâíÿõ � â ðåêðèñòàëëèçîâàííîé èçîëèðîâàí-
íîé ïëåíêå è ïîäëîæêå.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Àãååâ Î. À., Ñâåòëè÷íûé À. Ì., Êî÷åðîâ À. Í. Âëè-
ÿíèå ãåîìåòðèè óñòàíîâêè ÁÒÎ íà ðàâíîìåðíîñòü îáëó-
÷åííîñòè ïëàñòèí äèàìåòðîì 100 ìì // Òðóäû 7-é ìåæ-
äóíàð. ÍÒÊ �Àêòóàëüíûå ïðîáëåìû òâåðäîòåëüíîé ýëåê-
òðîíèêè è ìèêðîýëåêòðîíèêè�. ×. 1.� Òàãàíðîã�Äèâ-
íîìîðñêîå.� 2000.� Ñ. 68�69.
2. Ïèëèïåíêî Â. À., Ïîïîâ Þ. Ï. Èñïîëüçîâàíèå ôî-
òîííûõ òåõíîëîãè÷åñêèõ ïðîöåññîâ ïðè èçãîòîâëåíèè áè-
ïîëÿðíûõ èíòåãðàëüíûõ ìèêðîñõåì // Ýëåêòðîííàÿ ïðî-
ìûøëåííîñòü.� 1988.� Âûï. 5.� Ñ. 3�9.
3. Paustovsky A. V., Sheludko V. E. Use of laser technol-
ogy for modification of material properties //Functional
Materials (Kharkiv).� 1999.� Vol. 6, N 5.� P. 964�976.
4. Êîðîëåâ Ì. À. Ïðîáëåìû ñîçäàíèÿ òðåõìåðíûõ
ÑÁÈÑ // Ìàòåðèàëû ýëåêòðîííîé òåõíèêè.� Ì.: ÌÈÝÒ.�
1986.� Ñ. 126�131.
5. Êîðîëåâ Ì. À. Øóìñêèé È. À. �Èíòåëëåêòóàëüíûå�
èçìåðèòåëüíûå ìèêðîñèñòåìû íà îñíîâå ñòðóêòóðû
êðåìíèé-íà-èçîëÿòîðå // Èçâåñòèÿ âóçîâ. Ýëåêòðîíè-
êà.� 1998.� ¹ 5.� Ñ. 34 � 38.
6. Êîðîëåâ Ì. À., Êàñèìîâ Ô. Ä., Èñìàéëîâà Ñ. À.,
Ãóñåéíîâ ß. Þ. Èçãîòîâëåíèå ïðèáîðîâ â ðåêðèñòàëëè-
çîâàííîé ëàçåðíûì èçëó÷åíèåì ïëåíêå ïîëèêðèñòàëëè-
÷åñêîãî êðåìíèÿ // Òðóäû 3-é ìåæäóíàð. ÍÒÊ �Ìèêðî-
ýëåêòðîííûå ïðåîáðàçîâàòåëè è ïðèáîðû íà èõ îñíî-
âå�.� Áàêó�Ñóìãàèò, 2001.� Ñ. 85.
7. Yehuda Zeiri. Laser induced thermal desorption // J. of
Chemical Physics.� 1988.� Vol. 88, N 6.� P. 3981�3987.
8. Êîðîëåâ Ì. À., Ìîëîñòâîâ À. Í., Õîõëîâ Ì. Â. Èñ-
ñëåäîâàíèå îñîáåííîñòåé ðåêðèñòàëëèçàöèè ïîëèêðåì-
íèåâûõ ïëåíîê ïîä âîçäåéñòâèåì ëàçåðíîãî èçëó÷åíèÿ //
Ýëåêòðîííàÿ òåõíèêà. Ñåð. Ìèêðîýëåêòðîíèêà.� 1986.�
¹ 1.� Ñ. 81�84.
9. Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ôîðìèðîâàòåëè ñèãíàëîâ èçî-
áðàæåíèÿ // Ïîä ðåä. Ï. Éåñïåðñà.� Ì.: Ìèð, 1979.
10. Êàñèìîâ Ô. Ä. Ôèçè÷åñêèå ñâîéñòâà è ôóíêöèî-
íàëüíûå âîçìîæíîñòè ëîêàëüíî âûðàùåííûõ ïëåíîê
ìîíî- è ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ // Òåç. äîêë. 12-é
Âñåñîþç. êîíô. ïî ìèêðîýëåêòðîíèêå. ×. 2.� Òáèëèñè,
1987.� Ñ. 175�176.
11. Ãëàçîâ Â. Ì., Êîðîëåâ Ì. À., Òàäåâîñÿí Ñ. Ã. Èñ-
ñëåäîâàíèå è ðàçðàáîòêà ìåòîäà êîñâåííîãî ëàçåðíîãî
íàãðåâà äëÿ ñîçäàíèÿ òðåõìåðíûõ ÊÌÄÏ ÈÑ ÇÓ // Òåç.
äîêë. Âñåñîþç. êîíô. �Èññëåäîâàíèå è ðàçðàáîòêà ïåðñ-
ïåêòèâíûõ ÈÑ ïàìÿòè�.� Ìîñêâà, 1986.� Ñ. 47.
12. Kasimov F. D., Ismailov N. M., Kasimova F. F. High
magnetic sensitivity integrated circuit on the base of Hall-
effect sensor // Functional Materials (Kharkiv).� 1998.�
Vol. 5, N 1.� P. 138�139.
I I ïðîìûøëåííàÿ ñïåöèàëèçèðîâàííàÿ âûñòàâêà
Ýëåêòðîííûå êîìïîíåíòû è êîìïëåêòóþùèå, ìàòåðèàëû,
ïå÷àòíûå ïëàòû, êîíñòðóêòèâû, òåõíîëîãèè,
îáîðóäîâàíèå, ðàçðàáîòêè, ïðîäóêöèÿ,
ñåðòèôèêàöèÿ, ñåðâèñÐÀÄÈÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
È ÏÐÈÁÎÐÎÑÒÐÎÅÍÈÅ
Ïð. Ãàãàðèíà, 8
Ïåòåðáóðãñêèé ÑÊÊ
Ò/ô. (812) 1183537, 2303116
E-mail: radel@orticon.com,
it@mailbox.alkor.ru
Http: //www.orticon.com/radel.html
//www.alkor.ru/~00071800
ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ. ÑÈÌÏÎÇÈÓÌÛ
2002 ã.
19�22 íîÿáðÿ
Ñàíêò-Ïåòåðáóðã
|
| id | oai:tkea.com.ua:article-1353 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| issn | 3083-6549 |
| keywords_txt_mv | |
| language | yo |
| last_indexed | 2026-08-20T01:00:54Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/55/a0c8a50948abe197ba825f0669129655.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-13532026-08-19T09:54:56Z Indirect laser heating of polycrystalline silicon to obtain active elements of integrated circuits Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем Iskender-zade, Z. A. Kasimov, F. D. Ismayilova, S. A. indirect laser heating polycrystalline silicon recrystallization single-crystal layers active elements integrated circuits Hall sensors косвенный лазерный нагрев поликристаллический кремний рекристаллизация монокристаллические слои активные элементы микросхемы датчики Холла The paper shows that laser recrystallization of polycrystalline silicon films makes it possible to obtain high-quality single-crystal layers, which allows manufacturing functional integrated circuit elements, in particular Hall sensors, within them. Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2002): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 40-42 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-42 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40/1252 Copyright (c) 2002 Iskender-zade Z. A., Kasimov F. D., Ismayilova S. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | косвенный лазерный нагрев поликристаллический кремний рекристаллизация монокристаллические слои активные элементы микросхемы датчики Холла Iskender-zade, Z. A. Kasimov, F. D. Ismayilova, S. A. Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_alt | Indirect laser heating of polycrystalline silicon to obtain active elements of integrated circuits |
| title_full | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_fullStr | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_full_unstemmed | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_short | Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| title_sort | косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем |
| topic | косвенный лазерный нагрев поликристаллический кремний рекристаллизация монокристаллические слои активные элементы микросхемы датчики Холла |
| topic_facet | indirect laser heating polycrystalline silicon recrystallization single-crystal layers active elements integrated circuits Hall sensors косвенный лазерный нагрев поликристаллический кремний рекристаллизация монокристаллические слои активные элементы микросхемы датчики Холла |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40 |
| work_keys_str_mv | AT iskenderzadeza indirectlaserheatingofpolycrystallinesilicontoobtainactiveelementsofintegratedcircuits AT kasimovfd indirectlaserheatingofpolycrystallinesilicontoobtainactiveelementsofintegratedcircuits AT ismayilovasa indirectlaserheatingofpolycrystallinesilicontoobtainactiveelementsofintegratedcircuits AT iskenderzadeza kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT kasimovfd kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem AT ismayilovasa kosvennyjlazernyjnagrevpolikristalličeskogokremniâdlâpolučeniâaktivnyhélementovmikroshem |