Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
Scintillators based on ZnSxSe1–x are promising materials for X-ray and γ-ray detection. For optoelectronic devices, it is better to use semiconductor compounds with a direct-zone energy structure with its spectral range lying in the fundamental absorption region. The band gap in such semico...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.5-6.44 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |