Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури

• Дата: 2018
• Автори: Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
• Теми: трьохбар’єрна фотодіодна структура; ефект змикання; механізм токопереносу; фоточутливість
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...