Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-147 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-05-30T19:27:08Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
трьохбар’єрна фотодіодна структура ефект змикання механізм токопереносу фоточутливість |
| spellingShingle |
трьохбар’єрна фотодіодна структура ефект змикання механізм токопереносу фоточутливість Abdulkhaev, O. A. Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Yakubov, A. A. Kuliyev, Sh. M. Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури |
| topic_facet |
three-barrier photodiode structure clamping effect current transfer mechanism photosensitivity трьохбар’єрна фотодіодна структура ефект змикання механізм токопереносу фоточутливість |
| format |
Article |
| author |
Abdulkhaev, O. A. Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Yakubov, A. A. Kuliyev, Sh. M. |
| author_facet |
Abdulkhaev, O. A. Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Yakubov, A. A. Kuliyev, Sh. M. |
| author_sort |
Abdulkhaev, O. A. |
| title |
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури |
| title_short |
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури |
| title_full |
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури |
| title_fullStr |
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури |
| title_full_unstemmed |
Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури |
| title_sort |
електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної gaas-структури |
| title_alt |
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure |
| description |
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems. The study allowed showing that a three-barrier photodiode m1—p-GaAs—n-GaAs—m2-structure with a high quantum efficiency can exceed 8 times the photosensitivity of a photodiode as compared to a photodiode with a single p–n junction. In the m1—p-GaAs—n-GaAs—m2 photodiode structure, the maximum photosensitivity is achieved in the impurity region of the spectrum (above 1.0 μm) when excitation of nonequilibrium current carriers through the barrier to the semiconductor, in contrast to the intrinsic spectral region (0.86 μm). It has been shown experimentally that the photosensitivity of the structure in the direct-displacement mode of the p–n junction is larger, compared with the locking mode, and the maximum photosensitivity is achieved in the impurity region of the spectrum. That is, the impurity levels of oxygen present in the base region take part in the separation of the photocarriers. The dependence of the current on the voltage is described by a power function with an exponent of 0.5 corresponding to the generation-recombination process in the space-charge region of the p–n junction. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 |
| work_keys_str_mv |
AT abdulkhaevoa electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT yodgorovadm electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT karimovav electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT yakubovaa electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT kuliyevshm electrophysicalandphotoelectriccharacteristicsofathreebarrierphotodiodegaasstructure AT abdulkhaevoa elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT yodgorovadm elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT karimovav elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT yakubovaa elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi AT kuliyevshm elektrofízičnítafotoelektričníharakteristikitrʹohbarêrnoífotodíodnoígaasstrukturi |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:27Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:27Z |
| _version_ |
1850410215007059968 |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-1472025-05-30T19:27:08Z Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури Abdulkhaev, O. A. Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Yakubov, A. A. Kuliyev, Sh. M. three-barrier photodiode structure clamping effect current transfer mechanism photosensitivity трьохбар’єрна фотодіодна структура ефект змикання механізм токопереносу фоточутливість The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems. The study allowed showing that a three-barrier photodiode m1—p-GaAs—n-GaAs—m2-structure with a high quantum efficiency can exceed 8 times the photosensitivity of a photodiode as compared to a photodiode with a single p–n junction. In the m1—p-GaAs—n-GaAs—m2 photodiode structure, the maximum photosensitivity is achieved in the impurity region of the spectrum (above 1.0 μm) when excitation of nonequilibrium current carriers through the barrier to the semiconductor, in contrast to the intrinsic spectral region (0.86 μm). It has been shown experimentally that the photosensitivity of the structure in the direct-displacement mode of the p–n junction is larger, compared with the locking mode, and the maximum photosensitivity is achieved in the impurity region of the spectrum. That is, the impurity levels of oxygen present in the base region take part in the separation of the photocarriers. The dependence of the current on the voltage is described by a power function with an exponent of 0.5 corresponding to the generation-recombination process in the space-charge region of the p–n junction. Роботу присвячено вивченню фізичних особливостей електронних процесів, що протікають в області об’ємного заряду і в базовій області арсенідгалієвих трьохбар’єрних фотодіодних структур m1—p-GaAs—n-GaAs—m2 за різних режимів включення, а також виявлення механізмів посилення первинного фотоструму і механізмів спектральної фоточутливості та струмопереносу, що представляє інтерес для використання в оптичних системах. Експериментально показано, що досліджувана структура завдяки ефекту змикання двох суміжних переходів і наявності високоомної колекторної області має високу фоточутливість, подібно фоторезисторній структурі, при цьому зміна опору в ній пов’язана з перерозподілом напруги. Високий зовнішній квантовий вихід (більше одиниці) свідчить про внутрішнє посилення первинного фотоструму. Експериментально показано, що фоточутливість структури в режимі прямого зміщення р–n-переходу більше, ніж в режимі його замикання, а максимальна фоточутливість досягається в «домішковій» області спектра, тобто в розподілі фотоносіїв беруть участь наявні в базовій області домішкові рівні кисню. Залежність струму від напруги описується ступеневою функцією з показником ступеня 0,5, відповідним генераційно-рекомбінаційному процесу в області об'ємного заряду p–n-переходу. Отримані результати вказують на перспективність даних структур для застосування в оптичних системах зв'язку. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018-08-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 10.15222/TKEA2018.4.21 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2018): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 21-27 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2018): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 21-27 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2018.4 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21/134 Copyright (c) 2018 Abdulkhaev O. A., Yodgorova D. M., Karimov A. V., Yakubov A. A., Kuliyev Sh. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |