Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури

The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2018
Main Authors: Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
Subjects:
трьохбар’єрна фотодіодна структура
ефект змикання
механізм токопереносу
фоточутливість
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Internet

https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21

Similar Items