Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
von: Лежнюк, Петро Дем'янович, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Лежнюк, Петро Дем'янович, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Електрофізичні радіаційні технології
Veröffentlicht: (2003)
Veröffentlicht: (2003)
Optimization of the photorecording system through the application of a coating based on nanostructured phosphors
von: Беляк, Є. В.
Veröffentlicht: (2022)
von: Беляк, Є. В.
Veröffentlicht: (2022)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Research of structures with corrugated photoreceiving surface
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
von: Klyui, N.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Klyui, N.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
von: Житарюк, В. Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Житарюк, В. Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
von: Житарюк, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Житарюк, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Електрофізичні властивості системи поліхлортрифторетилен–оксид міді
von: Makhno, S. N.
Veröffentlicht: (2014)
von: Makhno, S. N.
Veröffentlicht: (2014)
Електрофізичні властивості системи поліхлортрифторетилен/йодид міді
von: Мазуренко, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Мазуренко, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Електрофізичні властивості системи поліамід–графенові нанопластини
von: Лісова, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Лісова, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Електрофізичні властивості системи політетрафторетилен – вуглецеві нанотрубки
von: Котенок, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Котенок, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Вплив обмежених поляризацiйних фононiв на електронний спектр трибар’єрної активної зони квантового каскадного детектора
von: Tkach, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Tkach, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Електрофізичні властивості полімерних композитів з оксидом графену
von: Лісова, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Лісова, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Електрофізичні властивості композитів вуглецеві нанотрубки/ NiCo
von: Lisova, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Lisova, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Фазовий склад та електрофізичні властивості плівок заліза
von: Воробйов, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Воробйов, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
von: Оленич, І.Б.
Veröffentlicht: (2016)
von: Оленич, І.Б.
Veröffentlicht: (2016)
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Солован, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Методика оцiнки бар’єрної стiйкостi водозборiв по вiдношенню до забруднюючих речовин
von: Шевченко, О.Л.
Veröffentlicht: (2016)
von: Шевченко, О.Л.
Veröffentlicht: (2016)
Теорія електронної провідності відкритої циліндричної двобар'єрної симетричної резонансно-тунельної структури у моделі прямокутних та δ-подібних потенціальних бар'єрів
von: Ткач, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ткач, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Електрофізичні властивості систем полімер – іонний провідник в надвисокочастотному діапазоні
von: Махно, С.М.
Veröffentlicht: (2008)
von: Махно, С.М.
Veröffentlicht: (2008)
Структура та електрофізичні властивості системи натрійвмісних ніобатів літію–лантану
von: Кобилянська, С.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Кобилянська, С.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Електрофізичні властивості плівок молібдену в умовах внутрішнього розмірного ефекту
von: Білоус, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Білоус, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Електрофізичні властивості композитів на основі епоксидної смоли та вуглецевих наповнювачів
von: Sirenko, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Sirenko, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Електрофізичні властивості гетероструктури CuS/ZnS і системи CuS/ZnS-ПТФХЕ
von: Prokopenko, S. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Prokopenko, S. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Синтез та електрофізичні властивості гетероструктур CuS/CdS та Ag₂S/CdS
von: Прокопенко, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Прокопенко, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020) -
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
von: Лежнюк, Петро Дем'янович, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Електрофізичні радіаційні технології
Veröffentlicht: (2003)