Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки

• Дата: 2018
• Автори: Karimov, A. V., Rakhmatov, A. Z., Abdulkhaev, O. A., Aripova, U. H., Khidirnazarova, A. Yu., Kuliyev, Sh. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
• Теми: дифузний діод; вольт-амперна характеристика; ємнісна характеристика; радіаційне опромінення; термічна обробка; падіння напруги
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.33
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

High-frequency limiting rectifier diodes are used in power sources for rectifying alternating current, in protective elements of radio-electronic equipment, and in switching devices. They are the basis of energy-saving devices, meeting the high requirements for power limit and performance. The main...