Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування

Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування

The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyze...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2018
Main Authors: Vikulin, I. M., Litvinenko, V. N., Shutov, S. V., Maronchuk, A. I., Demenskiy, A. N., Glukhova, V. I.
Format: Article
Language:English
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
Subjects:
гетерування
зворотний струм
кремній
домішки
варикап
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.29
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-163
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-1632025-05-30T19:27:47Z Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування Vikulin, I. M. Litvinenko, V. N. Shutov, S. V. Maronchuk, A. I. Demenskiy, A. N. Glukhova, V. I. varactor silicon impurities gettering reverse current гетерування зворотний струм кремній домішки варикап The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyzed. Варикапи широко використовуються в радіоелектроніці як змінна ємність, величина якої управляється напругою. Основними параметрами варикапа є його добротність, номінальна ємність, зворотний струм і коефіцієнт перекриття по ємності, який визначає частотний діапазон використання варикапа. Розробка варикапів зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі дала можливість значно збільшити коефіцієнт перекриття по ємності. При цьому, однак, виникла проблема, пов'язана з низьким виходом придатних приладів через розкид значень номінальної ємності структур по площі пластини, а також високого рівня їх зворотних струмів. Робота присвячена дослідженню впливу структурних дефектів на параметри кремнієвого варикапа зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі й можливості застосування лазерного гетерування для поліпшення його параметрів і підвищення виходу придатних приладів.Встановлено, що головною причиною низького відсотка виходу придатних досліджуваних варикапів є окислювальні дефекти упакування (ОДУ), що утворюються в активних областях структур в процесах проведення високотемпературних операцій. Детально розглянута запропонована технологія виготовлення структур варикапів з лазерним гетеруванням, а також особливості створення області гетера на зворотному боці пластин. Приведено експериментальні результати досліджень впливу лазерного гетерування на електричні параметри варикапів. Показано, що застосування розробленої технології дозволяє запобігти або істотно зменшити щільність ОДУ в активних областях структур, що дає можливість знизити рівень зворотних струмів і зменшити розкид значень номінальної ємності варикапів по площі пластини та, як наслідок, підвищити вихід придатних приладів. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018-04-18 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.29 10.15222/TKEA2018.2.29 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2018): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2018): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-32 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2018.2 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.29/148 Copyright (c) 2018 Vikulin I. M., Litvinenko V. N., Shutov S. V., Maronchuk A. I., Demenskiy A. N., Glukhova V. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:27:47Z
collection OJS
language English
topic гетерування
зворотний струм
кремній
домішки
варикап
spellingShingle гетерування
зворотний струм
кремній
домішки
варикап
Vikulin, I. M.
Litvinenko, V. N.
Shutov, S. V.
Maronchuk, A. I.
Demenskiy, A. N.
Glukhova, V. I.
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
topic_facet varactor
silicon
impurities
gettering
reverse current
гетерування
зворотний струм
кремній
домішки
варикап
format Article
author Vikulin, I. M.
Litvinenko, V. N.
Shutov, S. V.
Maronchuk, A. I.
Demenskiy, A. N.
Glukhova, V. I.
author_facet Vikulin, I. M.
Litvinenko, V. N.
Shutov, S. V.
Maronchuk, A. I.
Demenskiy, A. N.
Glukhova, V. I.
author_sort Vikulin, I. M.
title Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
title_short Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
title_full Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
title_fullStr Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
title_full_unstemmed Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
title_sort поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
title_alt Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
description The authors investigate how and why defects influence the inverse characteristics of varactors. The paper presents experimental results on the effect laser gettering has on the electrical parameters of varactors. The mechanisms of the laser gettering effect on the parameters of varactors are analyzed.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2018
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.29
work_keys_str_mv AT vikulinim enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
AT litvinenkovn enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
AT shutovsv enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
AT maronchukai enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
AT demenskiyan enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
AT glukhovavi enhancingparametersofsiliconvaractorsusinglasergettering
AT vikulinim polípšennâparametrívkremníêvihvarikapívprivikoristannílazernogogeteruvannâ
AT litvinenkovn polípšennâparametrívkremníêvihvarikapívprivikoristannílazernogogeteruvannâ
AT shutovsv polípšennâparametrívkremníêvihvarikapívprivikoristannílazernogogeteruvannâ
AT maronchukai polípšennâparametrívkremníêvihvarikapívprivikoristannílazernogogeteruvannâ
AT demenskiyan polípšennâparametrívkremníêvihvarikapívprivikoristannílazernogogeteruvannâ
AT glukhovavi polípšennâparametrívkremníêvihvarikapívprivikoristannílazernogogeteruvannâ
first_indexed 2025-09-24T17:30:28Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:28Z
_version_ 1850410217622208512

Similar Items