Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can ch...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.36 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
РОЗРОБКА ТА ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРІВ ТИПУ СЦИНТИЛЯТОР-ФЕП НА ОСНОВІ ZnSe(Al) ТА ПЛАСТМАСОВОГО СЦИНТИЛЯТОРУ UPS-923A ДЛЯ ПРИЛАДІВ РЕЄСТРАЦІЇ α-, β- ТА ЗМІШАНИХ α-β-ВИПРОМІНЕНЬ
von: BOYARINTSEV, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: BOYARINTSEV, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
von: Trubaieva, O.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
von: Galkin, S.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Galkin, S.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Моделювання бінарних нанооксидів з твердих розчинів або змішаних фаз
von: Gun’ko, V. M.
Veröffentlicht: (2025)
von: Gun’ko, V. M.
Veröffentlicht: (2025)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Адсорбція тетрацикліну Zn–Al змішаними оксидами та шаруватими подвійними гідроксидами
von: Starukh, G. M.
Veröffentlicht: (2015)
von: Starukh, G. M.
Veröffentlicht: (2015)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
von: Kovalenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Kovalenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Оптичні властивості катіон-заміщених змішаних кристалів (Cu1 – xAgx)7GeSe5I
von: Pop, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Pop, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
von: Degoda, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Degoda, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Властивості конгломератів ZnO-Zn, вирощених на неполірованій підкладці Si методом карботермічного відновлення при швидкому сонячному випаровуванні
von: Kovalskyi, Y.O., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Kovalskyi, Y.O., et al.
Veröffentlicht: (2026)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)
Синтез, властивості та можливості застосування рентгенолюмінесцентного нанокристалічного фосфату лантану
von: Kusyak, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Kusyak, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2022)
To the question of oxidation on the surface of oxides: temperature- programmed oxidation of cyclohexanol
von: Brei, Volodymyr V., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Brei, Volodymyr V., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Ähnliche Einträge
-
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)