Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (Θ = 0,5—1,5 mm) for the mid-wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabricatio...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Tsybrii, Z. F., Andreeva, K. V., Apatska, M. V., Bunchuk, S. G., Vuichyk, M. V., Golenkov, O. G., Dmytruk, N. V., Zabudsky, V. V., Lysiuk, I. O., Svezhentsova, K. V., Smolii, M. I., Sizov, F. F. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.6.08 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Механизм возникновения шумовых максимумов в элементах с нелинейными вольт-амперными характеристиками
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2004)
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2004)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
von: N. I. Kukhtaruk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: N. I. Kukhtaruk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
von: Kukhtaruk, N.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Kukhtaruk, N.I., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Дискретні покриття на різальному інструменті
von: Антонюк, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Антонюк, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Преобразование низкочастотных флуктуаций электропроводности в датчиках с нелинейной ВАХ
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2003)
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2003)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field
von: Tsybrii, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Tsybrii, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Дискретні моделі мартенситного перетворення та двійникування в металах
von: Козак, Л.Ю.
Veröffentlicht: (2012)
von: Козак, Л.Ю.
Veröffentlicht: (2012)
Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
von: Lysyuk, I. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Lysyuk, I. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)
von: F. Sizov
Veröffentlicht: (2015)
Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature
von: N. Momot, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: N. Momot, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Morphologic and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD
von: M. V. Vuichyk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: M. V. Vuichyk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
МАКСИМІЗАЦІЯ ДІАПАЗОНУ КЕРУВАННЯ МАТРИЧНИМИ ПЕРЕТВОРЮВАЧАМИ
von: Михальський, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Михальський, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Максимізація діапазону керування матричними перетворювачами
von: Михальський, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Михальський, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
МАКСИМІЗАЦІЯ ДІАПАЗОНУ КЕРУВАННЯ МАТРИЧНИМИ ПЕРЕТВОРЮВАЧАМИ
von: Михальський, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Михальський, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature
von: Momot, N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Momot, N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Morphologic and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD
von: Vuichyk, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vuichyk, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
ІЧ спектральний прояв домішкових центрів олова у діоксиді титану
von: Smirnova, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Smirnova, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Дискретні моделі пластичної деформації твердих тіл під впливом високого гідростатичного тиску
von: Козак, Л.Ю.
Veröffentlicht: (2016)
von: Козак, Л.Ю.
Veröffentlicht: (2016)
Про дискретні моделі на одномірній решітці з заданою алгеброю Лі симетрій
von: Балінський, А.І.
Veröffentlicht: (1992)
von: Балінський, А.І.
Veröffentlicht: (1992)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)
Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals
von: Bogoboyashchiy, V.V.
Veröffentlicht: (1999)
von: Bogoboyashchiy, V.V.
Veröffentlicht: (1999)
До питання про дискретні ознаки на людських черепах із Чернігова X-XIII ст.
von: Долженко, Ю.
Veröffentlicht: (2011)
von: Долженко, Ю.
Veröffentlicht: (2011)
Дослiдження методами ІЧ-спектроскопiї тонких плiвок оксиду цинку, вирощених методом АПО
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра
von: Melnichuk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Melnichuk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Про деякі особливості ІЧ-спектрів полікатіондекатіонованих форм фожазитів
von: Бартош, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Бартош, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Моделювання динаміки хвильового спектру пучково-плазмової взаємодії
von: Турбін, П.В.
Veröffentlicht: (2006)
von: Турбін, П.В.
Veröffentlicht: (2006)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ähnliche Einträge
-
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Механизм возникновения шумовых максимумов в элементах с нелинейными вольт-амперными характеристиками
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2004) -
Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)