Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (Θ = 0,5—1,5 mm) for the mid-wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabricatio...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Tsybrii, Z. F., Andreeva, K. V., Apatska, M. V., Bunchuk, S. G., Vuichyk, M. V., Golenkov, O. G., Dmytruk, N. V., Zabudsky, V. V., Lysiuk, I. O., Svezhentsova, K. V., Smolii, M. I., Sizov, F. F. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.6.08 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
von: Kukurudziak, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)