Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем
The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)·10–3...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.40 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543773118431232 |
|---|---|
| author | Hladkovskyi, V. V. Fedorovich, O. A. |
| author_facet | Hladkovskyi, V. V. Fedorovich, O. A. |
| author_sort | Hladkovskyi, V. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:29:12Z |
| description | The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)·10–3 Torr in the working chamber and the energy of chemically active ions of 50—80 eV. It was possible to etch the silicon to the depth of 100 µm with anisotropy 10, using a thick (0.4—1 µm) nickel mask. The obtained results make it evident, that maximums do not coincide for speed of etch and anisotropy. The maximum of etch rate is observed at oxygen maintained at 5%. While the maximum of anisotropy is observed at 10% oxygen. The authors discovered the influence of the magnetic field on the rate and anisotropy of etching. Etch rate of the silicon at the increase of the magnetic-field tension increases virtually twofold at other discharge parameters remaining unchanged. The anisotropy first increases, and then decreases sharply. Thus, the increase of the tension of magnetic field results in worsening of anisotropy. Thus, the process of deep plasma-chemical etching of silicon has been developed and optimized. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:31Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-192 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:31Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-1922025-05-30T19:29:12Z Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем Hladkovskyi, V. V. Fedorovich, O. A. deep etching of silicon ion energy plasma chemistry anisotropy глибинне травлення кремнію анізотропія енергія іонів плазмохімія магнітне поле The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)·10–3 Torr in the working chamber and the energy of chemically active ions of 50—80 eV. It was possible to etch the silicon to the depth of 100 µm with anisotropy 10, using a thick (0.4—1 µm) nickel mask. The obtained results make it evident, that maximums do not coincide for speed of etch and anisotropy. The maximum of etch rate is observed at oxygen maintained at 5%. While the maximum of anisotropy is observed at 10% oxygen. The authors discovered the influence of the magnetic field on the rate and anisotropy of etching. Etch rate of the silicon at the increase of the magnetic-field tension increases virtually twofold at other discharge parameters remaining unchanged. The anisotropy first increases, and then decreases sharply. Thus, the increase of the tension of magnetic field results in worsening of anisotropy. Thus, the process of deep plasma-chemical etching of silicon has been developed and optimized. Наведено результати досліджень впливу кількості кисню в суміші з гексафторидом сірки на швидкість і анізотропію травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем. Процес травлення проходив при тиску в робочій камері (0,3 — 2,0) 10–3 Торр, енергія хімічно активних іонів становила 50 — 80 еВ. Досліджено вплив магнітного поля на швидкість і анізотропію травлення. Показано, що збільшення напруженості магнітного поля призводить до погіршення анізотропії. Розроблено та оптимізовано процес глибокого плазмохімічного травлення кремнію в плазмохімічному реакторі з керованим магнітним полем в газовій суміші SF6 O2, що дозволило протравити кремній на глибину 100 мкм з анізотропією 10 при використанні захисної нікелевої маски товщиною 0,4—1,0 мкм. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017-10-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.40 10.15222/TKEA2017.4-5.40 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2017): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-44 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-44 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2017.4-5 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.40/172 Copyright (c) 2017 Hladkovskyi V. V., Fedorovich O. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | глибинне травлення кремнію анізотропія енергія іонів плазмохімія магнітне поле Hladkovskyi, V. V. Fedorovich, O. A. Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| title | Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| title_alt | Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field |
| title_full | Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| title_fullStr | Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| title_full_unstemmed | Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| title_short | Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| title_sort | дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем |
| topic | глибинне травлення кремнію анізотропія енергія іонів плазмохімія магнітне поле |
| topic_facet | deep etching of silicon ion energy plasma chemistry anisotropy глибинне травлення кремнію анізотропія енергія іонів плазмохімія магнітне поле |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.40 |
| work_keys_str_mv | AT hladkovskyivv investigationoftheinfluenceofoxygenontherateandanisotropyofdeepetchingofsiliconintheplasmachemicalreactorwiththecontrolledmagneticfield AT fedorovichoa investigationoftheinfluenceofoxygenontherateandanisotropyofdeepetchingofsiliconintheplasmachemicalreactorwiththecontrolledmagneticfield AT hladkovskyivv doslídžennâvplivukisnûnašvidkístʹíanízotropíûglibinnogotravlennâkremníûvplazmohímíčnomureaktorízkerovanimmagnítnimpolem AT fedorovichoa doslídžennâvplivukisnûnašvidkístʹíanízotropíûglibinnogotravlennâkremníûvplazmohímíčnomureaktorízkerovanimmagnítnimpolem |