Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
• Schlagworte: високотемпературний датчик Холла; гетероструктури AlGaN/GaN; комп'ютерне моделювання
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...