Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543776505331712 |
|---|---|
| author | Stempitsky, V. R. Dao, Dinh Ha |
| author_facet | Stempitsky, V. R. Dao, Dinh Ha |
| author_sort | Stempitsky, V. R. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:29:56Z |
| description | The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al0,3Ga0,7N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V/(A·T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273%/ºC) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:33Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-211 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:33Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-2112025-05-30T19:29:56Z Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN Stempitsky, V. R. Dao, Dinh Ha high-temperature Hall sensor AlGaN/GaN heterostructures computer simulation високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al0,3Ga0,7N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V/(A·T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273%/ºC) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use. Наведено результати досліджень характеристик датчика Холла запропонованої конструкції на основі гетероструктури AlGaN/GaN з різними геометричними параметрами активної області, що функціонує в діапазоні температури від –25 до 400ºC. Дослідження виконано з використанням програмних засобів приладно-технологічного моделювання. Активним шаром датчика є область двовимірного електронного газу, яка формується між бар'єрним шаром Al0,3Ga0,7N та нелегованим канальним шаром GaN. Отримані результати (магнітна чутливість струму 66,4 В/(А·Тл) при кімнатній температурі, температурний коефіцієнт магнітної чутливості 0,0273 %/ºC) свідчать про перспективність запропонованого рішення для практичного використання. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017-04-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28 10.15222/TKEA2017.1-2.28 Technology and design in electronic equipment; No. 1-2 (2017): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 28-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1-2 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 28-32 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28/187 Copyright (c) 2017 V. R. Stempitsky, Dinh Ha Dao http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання Stempitsky, V. R. Dao, Dinh Ha Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN |
| title | Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN |
| title_alt | Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure |
| title_full | Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN |
| title_fullStr | Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN |
| title_full_unstemmed | Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN |
| title_short | Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN |
| title_sort | дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків холла на основі гетероструктури algan/gan |
| topic | високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання |
| topic_facet | high-temperature Hall sensor AlGaN/GaN heterostructures computer simulation високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28 |
| work_keys_str_mv | AT stempitskyvr investigationofelectricandmagneticcharacteristicsofhightemperaturehallsensorbasedonalganganheterostructure AT daodinhha investigationofelectricandmagneticcharacteristicsofhightemperaturehallsensorbasedonalganganheterostructure AT stempitskyvr doslídžennâelektričnihtamagnítnihharakteristikvisokotemperaturnihdatčikívhollanaosnovígeterostrukturialgangan AT daodinhha doslídžennâelektričnihtamagnítnihharakteristikvisokotemperaturnihdatčikívhollanaosnovígeterostrukturialgangan |