Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Теми:
високотемпературний датчик Холла
гетероструктури AlGaN/GaN
комп'ютерне моделювання
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-211
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-2112025-05-30T19:29:56Z Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN Stempitsky, V. R. Dao, Dinh Ha high-temperature Hall sensor AlGaN/GaN heterostructures computer simulation високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al0,3Ga0,7N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V/(A·T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273%/ºC) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use. Наведено результати досліджень характеристик датчика Холла запропонованої конструкції на основі гетероструктури AlGaN/GaN з різними геометричними параметрами активної області, що функціонує в діапазоні температури від –25 до 400ºC. Дослідження виконано з використанням програмних засобів приладно-технологічного моделювання. Активним шаром датчика є область двовимірного електронного газу, яка формується між бар'єрним шаром Al0,3Ga0,7N та нелегованим канальним шаром GaN. Отримані результати (магнітна чутливість струму 66,4 В/(А·Тл) при кімнатній температурі, температурний коефіцієнт магнітної чутливості 0,0273 %/ºC) свідчать про перспективність запропонованого рішення для практичного використання. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017-04-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28 10.15222/TKEA2017.1-2.28 Technology and design in electronic equipment; No. 1-2 (2017): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 28-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1-2 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 28-32 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28/187 Copyright (c) 2017 V. R. Stempitsky, Dinh Ha Dao http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:29:56Z
collection OJS
language Ukrainian
topic високотемпературний датчик Холла
гетероструктури AlGaN/GaN
комп'ютерне моделювання
spellingShingle високотемпературний датчик Холла
гетероструктури AlGaN/GaN
комп'ютерне моделювання
Stempitsky, V. R.
Dao, Dinh Ha
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
topic_facet high-temperature Hall sensor
AlGaN/GaN heterostructures
computer simulation
високотемпературний датчик Холла
гетероструктури AlGaN/GaN
комп'ютерне моделювання
format Article
author Stempitsky, V. R.
Dao, Dinh Ha
author_facet Stempitsky, V. R.
Dao, Dinh Ha
author_sort Stempitsky, V. R.
title Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
title_short Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
title_full Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
title_fullStr Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
title_full_unstemmed Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
title_sort дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків холла на основі гетероструктури algan/gan
title_alt Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
description The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al0,3Ga0,7N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V/(A·T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273%/ºC) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2017
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
work_keys_str_mv AT stempitskyvr investigationofelectricandmagneticcharacteristicsofhightemperaturehallsensorbasedonalganganheterostructure
AT daodinhha investigationofelectricandmagneticcharacteristicsofhightemperaturehallsensorbasedonalganganheterostructure
AT stempitskyvr doslídžennâelektričnihtamagnítnihharakteristikvisokotemperaturnihdatčikívhollanaosnovígeterostrukturialgangan
AT daodinhha doslídžennâelektričnihtamagnítnihharakteristikvisokotemperaturnihdatčikívhollanaosnovígeterostrukturialgangan
first_indexed 2025-09-24T17:30:33Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:33Z
_version_ 1844167346371952640

Схожі ресурси