Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543783343095808 |
|---|---|
| author | Sai, P. O. |
| author_facet | Sai, P. O. |
| author_sort | Sai, P. O. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:31:10Z |
| description | The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different types of metallization are considered, the advantages and disadvantages of each are determined, including the basic requirements that such contact must meet. There is emphasis on the using multilayer metallization with the barrier layers. In the case of the InAlN/GaN systems, the general approaches of forming ohmic contacts were considered. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:34Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-229 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | English |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:34Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-2292025-05-30T19:31:10Z Ohmic contacts to InN-based materials Омические контакты к материалам на основе нитрида индия Sai, P. O. ohmic contact contact resistivity rapid thermal annealing indium nitride омический контакт нитрид индия удельное контактное сопротивление быстрая термическая обработка The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different types of metallization are considered, the advantages and disadvantages of each are determined, including the basic requirements that such contact must meet. There is emphasis on the using multilayer metallization with the barrier layers. In the case of the InAlN/GaN systems, the general approaches of forming ohmic contacts were considered. Рассмотрены ключевые моменты в формировании омических контактов к нитрид-индиевыv пленкам, фокусируясь на n-InN и InAlN/GaN гетероструктурах. Детальный анализ исследований, проведенных за последние три десятилетия, позволяет определить основные принципы формирования подобных контактов. Приведены параметры контактов и оптимальные условия их достижения, рассмотрены различные типы металлизации и определены преимущества и недостатки каждого из них, учитывая основные требования, которым подобные контакты должны отвечать. Сделан акцент на перспективах использования многослойной металлизации с диффузионными барьерами. Рассмотрены общие подходы к формированию омических контактов к InAlN/GaN-гетероструктур. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016-10-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03 10.15222/TKEA2016.4-5.03 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2016): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-14 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2016): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-14 3083-6549 3083-6530 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03/199 Copyright (c) 2016 P. O. Sai http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | омический контакт нитрид индия удельное контактное сопротивление быстрая термическая обработка Sai, P. O. Омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| title | Омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| title_alt | Ohmic contacts to InN-based materials |
| title_full | Омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| title_fullStr | Омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| title_full_unstemmed | Омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| title_short | Омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| title_sort | омические контакты к материалам на основе нитрида индия |
| topic | омический контакт нитрид индия удельное контактное сопротивление быстрая термическая обработка |
| topic_facet | ohmic contact contact resistivity rapid thermal annealing indium nitride омический контакт нитрид индия удельное контактное сопротивление быстрая термическая обработка |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03 |
| work_keys_str_mv | AT saipo ohmiccontactstoinnbasedmaterials AT saipo omičeskiekontaktykmaterialamnaosnovenitridaindiâ |