Омические контакты к материалам на основе нитрида индия

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия

The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автор: Sai, P. O.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Теми:
омический контакт
нитрид индия
удельное контактное сопротивление
быстрая термическая обработка
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-229
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-2292025-05-30T19:31:10Z Ohmic contacts to InN-based materials Омические контакты к материалам на основе нитрида индия Sai, P. O. ohmic contact contact resistivity rapid thermal annealing indium nitride омический контакт нитрид индия удельное контактное сопротивление быстрая термическая обработка The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different types of metallization are considered, the advantages and disadvantages of each are determined, including the basic requirements that such contact must meet. There is emphasis on the using multilayer metallization with the barrier layers. In the case of the InAlN/GaN systems, the general approaches of forming ohmic contacts were considered. Рассмотрены ключевые моменты в формировании омических контактов к нитрид-индиевыv пленкам, фокусируясь на n-InN и InAlN/GaN гетероструктурах. Детальный анализ исследований, проведенных за последние три десятилетия, позволяет определить основные принципы формирования подобных контактов. Приведены параметры контактов и оптимальные условия их достижения, рассмотрены различные типы металлизации и определены преимущества и недостатки каждого из них, учитывая основные требования, которым подобные контакты должны отвечать. Сделан акцент на перспективах использования многослойной металлизации с диффузионными барьерами. Рассмотрены общие подходы к формированию омических контактов к InAlN/GaN-гетероструктур. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016-10-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03 10.15222/TKEA2016.4-5.03 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2016): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-14 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2016): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-14 3083-6549 3083-6530 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03/199 Copyright (c) 2016 P. O. Sai http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:31:10Z
collection OJS
language English
topic омический контакт
нитрид индия
удельное контактное сопротивление
быстрая термическая обработка
spellingShingle омический контакт
нитрид индия
удельное контактное сопротивление
быстрая термическая обработка
Sai, P. O.
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
topic_facet ohmic contact
contact resistivity
rapid thermal annealing
indium nitride
омический контакт
нитрид индия
удельное контактное сопротивление
быстрая термическая обработка
format Article
author Sai, P. O.
author_facet Sai, P. O.
author_sort Sai, P. O.
title Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
title_short Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
title_full Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
title_fullStr Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
title_full_unstemmed Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
title_sort омические контакты к материалам на основе нитрида индия
title_alt Ohmic contacts to InN-based materials
description The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different types of metallization are considered, the advantages and disadvantages of each are determined, including the basic requirements that such contact must meet. There is emphasis on the using multilayer metallization with the barrier layers. In the case of the InAlN/GaN systems, the general approaches of forming ohmic contacts were considered.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2016
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03
work_keys_str_mv AT saipo ohmiccontactstoinnbasedmaterials
AT saipo omičeskiekontaktykmaterialamnaosnovenitridaindiâ
first_indexed 2025-09-24T17:30:34Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:34Z
_version_ 1850410226218434560

Схожі ресурси