Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | Sai, P. O. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012) -
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010) -
Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)