Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
Studies of low-temperature features of semiconductor silicon whisker conductivity play a significant role in the development of electronic devices, such as temperature sensors.The results of studies of the active component of impedance Z' for silicon whiskers obtained at cryogenic temperatures,...
Saved in:
| Date: | 2019 |
|---|---|
| Main Authors: | Druzhinin, A. A., Ostrovsky, I. P., Khoverko, Yu. N., Koretsky, R. N. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.47 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2016) -
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2014) -
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013) -
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2012) -
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2005)