Cover Image

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы

Clarification of the influence of defects on detecting properties of CdZnTe detectors and understanding of the behavior of defects under the influence of aggressive radiation environment are very important to improve detector performance. The objective was to study the charges collection efficiency...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2016
Main Author:	Kondrik, A. I.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Subjects:	CdZnTe гамма-облучение детекторы моделирование глубокие уровни
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.1.12
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
by: Kondrik, A. I.
Published: (2012)

Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
by: Кондрик, А.И.
Published: (2016)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
by: Gentsar, P.O., et al.
Published: (2021)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2005)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2007)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2022)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
by: Rybka, A. V., et al.
Published: (2006)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
by: Kondrik, Alexander, et al.
Published: (2019)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
by: Kondrik, Оleksandr, et al.
Published: (2023)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
by: Kondrik, A. I., et al.
Published: (2003)

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
by: Boiko, Yu. V., et al.
Published: (2007)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
by: Pigur, O. N., et al.
Published: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2010)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Jafarova, E. A.
Published: (2006)

Существующие дозы облучения населения Украины
by: Павленко, Т.А., et al.
Published: (2009)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Vlasenko, A. I., et al.
Published: (2004)

Detector properties of Cd0,9Zn0,1Te:Al under the influence of low doze gamma irradiation
by: A. I. Kondrik
Published: (2016)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
by: Kondrik , Оleksandr
Published: (2024)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2011)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)

Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
by: Kondrik, Alexandr, et al.
Published: (2020)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Baidullaeva, А., et al.
Published: (2007)

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
by: Veleschuk, V. P., et al.
Published: (2018)

Газовий датчик на основі нанорозмірних напівпровідникових гетероструктур ZnS/CdS, що працює при кімнатній температурі
by: Prokopenko, S. L., et al.
Published: (2017)

Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
by: Lysyuk, I. O., et al.
Published: (2018)

Features of the synthesis of Cr0,9Ti0,1Si2 and Cr0,9Ta0,1Si2 solid solutions intended for high-resistance resistive materials
by: I. V. Kud, et al.
Published: (2018)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
by: Pavluchenko, Alexey, et al.
Published: (2021)

Формирование радиационной дозы облучения пресноводных рыб на эмбриональной стадии развития
by: Волкова, Е.Н., et al.
Published: (2013)

Superconducting properties of GdxPb1–xMo6S8 (x = 0.5, 0.7, 0.9) compounds
by: A. V. Terekhov, et al.
Published: (2021)

Compositional studies of optical parameters in (Ag₃AsS₃)x(As₂S₃)₁₋x (x = 0.3; 0.6; 0.9) thin films
by: Studenyak, I.P., et al.
Published: (2016)

Определение дозы излучения двухканальным спектрометром в диапазоне энергий 0,005…1 МэВ
by: Васильев, Г.П., et al.
Published: (2012)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
by: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Published: (2005)