Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
Clarification of the influence of defects on detecting properties of CdZnTe detectors and understanding of the behavior of defects under the influence of aggressive radiation environment are very important to improve detector performance. The objective was to study the charges collection efficiency...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | Kondrik, A. I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.1.12 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016)
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2005)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2003)
Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)
Существующие дозы облучения населения Украины
за авторством: Павленко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Павленко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)
Detector properties of Cd0,9Zn0,1Te:Al under the influence of low doze gamma irradiation
за авторством: A. I. Kondrik
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. I. Kondrik
Опубліковано: (2016)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2018)
Газовий датчик на основі нанорозмірних напівпровідникових гетероструктур ZnS/CdS, що працює при кімнатній температурі
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2017)
Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
за авторством: Lysyuk, I. O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lysyuk, I. O., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of the synthesis of Cr0,9Ti0,1Si2 and Cr0,9Ta0,1Si2 solid solutions intended for high-resistance resistive materials
за авторством: I. V. Kud, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. V. Kud, та інші
Опубліковано: (2018)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)
Формирование радиационной дозы облучения пресноводных рыб на эмбриональной стадии развития
за авторством: Волкова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Волкова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
Superconducting properties of GdxPb1–xMo6S8 (x = 0.5, 0.7, 0.9) compounds
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Terekhov, та інші
Опубліковано: (2021)
Compositional studies of optical parameters in (Ag₃AsS₃)x(As₂S₃)₁₋x (x = 0.3; 0.6; 0.9) thin films
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2016)
Определение дозы излучения двухканальным спектрометром в диапазоне энергий 0,005…1 МэВ
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2012)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012) -
Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2016) -
Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2021) -
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Mokritsky, V. A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)