Cover Image

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe

The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A3B6 group of layered compounds. The basic unit consists of two planes...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2015
Main Authors:	Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Subjects:	селенид индия оксид цинка тонкая пленка гетеропереход ВАХ спектральная фоточувствительность
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.5-6.50
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Sydor, O. N., et al.
Published: (2012)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
by: Kovaliuk, T. T., et al.
Published: (2015)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
by: Makhniy, V. P., et al.
Published: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
by: Makhniy, V. P., et al.
Published: (2016)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2009)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
by: Kudryk, Ya. Ya.
Published: (2009)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2015)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
by: Borschak, V. A.
Published: (2012)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO–Ag методом ТВЭ-кривых
by: Lyashkov, A. Yu.
Published: (2013)

Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
by: Kolodiy, Z. A., et al.
Published: (2009)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
by: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Published: (2012)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДВОЙНОГО РЯДА ФУРЬЕ ДЛЯ РАСЧЕТА СПЕКТРА МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ
by: Вербицкий , Е.В.
Published: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2009)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
by: Katerynchuk, V. M., et al.
Published: (2010)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)

Влияние нелинейных эффектов на спектральную эффективность многовходовых антенных систем
by: Vishniakova, Ju. V.
Published: (2015)

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
by: Starzhinskiy, N. G., et al.
Published: (2012)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
by: Sai, P. O.
Published: (2016)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
by: Gorokh, G. G., et al.
Published: (2015)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009)

Старинные парки и сады в Северной и Восточной Индии
by: Kazarova, S. Y., et al.
Published: (2021)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Tonkoshkur, A. S., et al.
Published: (2014)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
by: Pokladok, N. T., et al.
Published: (2013)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2010)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
by: Druzhinin, А. A., et al.
Published: (2012)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
by: Yermolenko, Ye. O., et al.
Published: (2012)

Фотокаталітичне утворення та фотоіндуковане зарядження наноструктур ZnO–Au
by: Stroyuk, O. L., et al.
Published: (2010)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
by: Dyadenchuk, A. F., et al.
Published: (2020)