Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
In recent years, transmission and reception systems of optical signals are widely used. Receiving the optical signal in such systems is carried by photoreceiving modules based on a photodetector, which defines the quality of the received signal, the range and speed of the entire system. However, hit...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.4.24 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Dobrovol’sky, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Dobrovol’sky, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
за авторством: Shvets, O. H., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Shvets, O. H., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Пассивные ограничители иммитанса
за авторством: Filinyuk, N. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Filinyuk, N. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Dobrovolsky, Yu. G.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dobrovolsky, Yu. G.
Опубліковано: (2006)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
за авторством: Yodgorova, D. М., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. М., та інші
Опубліковано: (2006)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)
Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке
за авторством: Колендовский, М.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Колендовский, М.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2006)
Высокочувствительный модуляционный радиометрический приемник диапазона частот 92...96 ГГц.
за авторством: Бережной, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Бережной, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
за авторством: Сухов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Сухов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
за авторством: Konnikov, I. A.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Konnikov, I. A.
Опубліковано: (2006)
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
за авторством: Бузруков, У. М.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бузруков, У. М.
Опубліковано: (2005)
Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Схожі ресурси
-
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010) -
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Dobrovol’sky, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2005) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)