Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
In recent years, transmission and reception systems of optical signals are widely used. Receiving the optical signal in such systems is carried by photoreceiving modules based on a photodetector, which defines the quality of the received signal, the range and speed of the entire system. However, hit...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.4.24 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Shvets, O. H., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Shvets, O. H., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Пассивные ограничители иммитанса
von: Filinyuk, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Filinyuk, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
von: Rodionov, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Rodionov, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке
von: Колендовский, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Колендовский, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Высокочувствительный модуляционный радиометрический приемник диапазона частот 92...96 ГГц.
von: Бережной, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Бережной, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
von: Сухов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Сухов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В ОДНОФАЗНОМ ТРЕХУРОВНЕВОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕ
von: Брованов, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Брованов, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)
О динамике систем с кооперативным эффектом
von: Добрынский, В.А.
Veröffentlicht: (1989)
von: Добрынский, В.А.
Veröffentlicht: (1989)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2013)
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2013)
Высокочувствительный СВЧ измеритель влагосодержания в неполярных диэлектрических жидкостях на основе ступенчатого неоднородного коаксиального резонатора
von: Рудаков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Рудаков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
О ВЛИЯНИИ ОЗОНА НА ХАРАКТЕРИСТИКИ КОРОННОГО РАЗРЯДА В ВОЗДУХЕ
von: Блага , А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Блага , А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
АПЕРИОДИЧЕСКИЕ И КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ РАЗРЯДА КОНДЕНСАТОРА ПРИ ПРИНУДИТЕЛЬНОМ ОГРАНИЧЕНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ ТОКОВ В НАГРУЗКЕ
von: Щерба , А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Щерба , А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Влияние эффективности исходных материалов на показатели надежности термоэлектрических охлаждающих устройств. Часть 2: Двухкаскадные ТЭУ
von: Zaykov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Zaykov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ähnliche Einträge
-
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)