Buchumschlag

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

In recent years, transmission and reception systems of optical signals are widely used. Receiving the optical signal in such systems is carried by photoreceiving modules based on a photodetector, which defines the quality of the received signal, the range and speed of the entire system. However, hit...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Schlagworte:	фотоприемник обратный ток эффект смыкания тонкая база область объемного заряда фоточувствительность ограничитель напряжения
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.4.24
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
von: Yodgorova, D. M.
Veröffentlicht: (2010)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Двухспектральный фотоприемник
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Shvets, O. H., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Пассивные ограничители иммитанса
von: Filinyuk, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
von: Rodionov, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
von: Yodgorova, D. М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
von: Ivanova, P. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке
von: Колендовский, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Натуралізація інтродукованих деревних рослин у Кіровоградській області (на прикладі дендропарку у с. Новоселиця)
von: Shynder, O. I.
Veröffentlicht: (2021)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокочувствительный модуляционный радиометрический приемник диапазона частот 92...96 ГГц.
von: Бережной, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
von: Konnikov, I. A.
Veröffentlicht: (2006)

Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
von: Сухов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
von: Бузруков, У. М.
Veröffentlicht: (2005)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Тенденції виникнення пожеж у лісах України
von: Voron, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Расчет нормальных допусков с учетом отклонений коэффициентов внешних воздействий
von: Shilo, G. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

О динамике систем с кооперативным эффектом
von: Добрынский, В.А.
Veröffentlicht: (1989)

Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
von: Reva, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2010)